[發明專利]用于形成具有自對準硅化物層的半導體器件的方法

無效

• 申請號: 200580052115.4
• 申請日: 2005-11-21
• 公開（公告）號: CN101346809A
• 公開（公告）日: 2009-01-14
• 發明（設計）人: 瑞安·羅斯;格列格·布萊克爾曼
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 劉光明;穆德駿

1.一種用于形成半導體器件的方法，其特征在于：

在具有第一區域和第二區域的半導體襯底上淀積金屬層，其中第一區域和第二區域包含硅；

移除第二區域上的金屬層；及

使金屬層與第一區域反應以在第一區域上形成自對準硅化物層。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述第一區域包括第一柵電極以及所述第二區域包括第二柵電極。

3.如權利要求1或2所述，還包括：

在所述金屬層上形成掩膜層；及

圖案化所述掩膜層以暴露該區域上的金屬層。

4.如權利要求1、2或3所述，還包括：

在所述金屬層上淀積保護層；及

移除所述第二區域上的保護層。

5.如權利要求1、2、3或4所述，其中所述金屬層包括金屬合金。

6.如權利要求1、2、3、4或5所述，其中所述金屬層包括選自由鈷和鎳組成的組中的元素。

7.如權利要求4、5或6所述，其中所述保護層包括選自由鎳、鉭和鈦組成的組中的元素。

8.如權利要求1、2、3、4、5、6或7所述，其中淀積發生在低于400攝氏度的溫度下。

9.如權利要求1、2、3、4、5、6或7所述，其中反應包括對所述半導體襯底進行退火。

10.如權利要求1、2、3、4、5、6或7所述，還包括移除所述金屬層中未形成所述自對準硅化物的部分。