[發(fā)明專(zhuān)利]顯示裝置等電子裝置的制造裝置、制造方法及顯示裝置等的電子裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200580051600.X | 申請(qǐng)日: | 2005-09-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101268411A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-09-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 大見(jiàn)忠弘;森本明大;加藤丈佳 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 大見(jiàn)忠弘 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G02F1/13 | 分類(lèi)號(hào): | G02F1/13;H01L29/786;G02F1/1333;G09F9/30;C23C8/14;H01L21/31;C23C4/10;H05K3/28;H01L21/02 |
| 代理公司: | 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 李貴亮 |
| 地址: | 日本國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 電子 裝置 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于制造平板顯示器等顯示裝置或包含印刷電路板等的 電子裝置的制造裝置,另外,涉及這些的制造方法、以及制造的平板顯示 器等顯示裝置或包含印刷電路板等的電子裝置。
背景技術(shù)
以往,所有電子裝置在基板上包含與絕緣層一同形成的配線層。作為 其一例,舉顯示裝置尤其平板顯示器裝置進(jìn)行說(shuō)明。液晶顯示裝置或有機(jī) EL顯示裝置具有對(duì)矩陣狀配置的薄膜晶體管(以下,還稱(chēng)為“TFT”)的 配線結(jié)構(gòu)(有源矩陣結(jié)構(gòu))。
在有源矩陣結(jié)構(gòu)中,包括:傳遞數(shù)據(jù)信號(hào)的寫(xiě)入時(shí)序的掃描線、向像 素供給對(duì)應(yīng)于顯示圖像的數(shù)據(jù)信號(hào)的信號(hào)線、和配合掃描線上生成的時(shí)序 信號(hào),供給數(shù)據(jù)信號(hào)的開(kāi)關(guān)元件。包含掃描線、信號(hào)線、和TFT的基板還 被稱(chēng)為有源矩陣基板,在基板的表面,利用減壓氣氛中的成膜或光刻法等 工序,形成有幾層電路圖案。
另一方面,為了提高顯示裝置的性能,一直探討如何提高稱(chēng)為開(kāi)口率 的顯示裝置的有效像素面積比例。作為第一方法,記載于特開(kāi)平09- 080416號(hào)公報(bào)(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)或特開(kāi)平09-090404號(hào)公報(bào)(專(zhuān)利文獻(xiàn)2) 等中,其中研究了利用蒸鍍法或?yàn)R射法形成覆蓋通常具有高低差的TFT的 層間絕緣膜及其上的透明電極,將信號(hào)線和透明電極設(shè)為多層結(jié)構(gòu),由此 提高開(kāi)口率的技術(shù)。其中,需要層間絕緣膜的光線透過(guò)率為90%以上。作 為第二方法,本發(fā)明人等先前在WO2005/057530A1(專(zhuān)利文獻(xiàn)3)中,提 出了為了吸收由柵配線生成的高低差而以包圍柵配線的方式構(gòu)成平坦化 層的技術(shù)。進(jìn)而將信號(hào)線厚膜化,減小配線寬度,由此提高開(kāi)口率。第一、 第二方法中的層間絕緣膜或平坦化層均使用透明的熱固化性樹(shù)脂。
關(guān)于現(xiàn)狀固化時(shí)的加熱氣氛,不使用環(huán)境控制。通常,通常在大氣中 或含有百分比級(jí)別(percent?order)的雜質(zhì)的氮等環(huán)境中加熱的空氣居多。 因此,根據(jù)條件的不同,熱固化性樹(shù)脂分解、離解,降低光線透過(guò)率,其 結(jié)果,顯示裝置的亮度變暗等,使顯示性能變差。作為使光線透過(guò)率變差 的原因,可以舉出如下情況,即:加熱條件基于熱分解熱固化性樹(shù)脂的溫 度以上的處理的情況、和由于加熱處理氣氛中的殘留氧或殘留水分,導(dǎo)致 熱固化性樹(shù)脂變差的情況。
另一方面,在以保溫柵配線的方式形成平坦化層的情況下,作為有源 矩陣基板的結(jié)構(gòu),需要利用等離子處理裝置,在平坦化層正上方將TFT用 半導(dǎo)體層成膜。通常,等離子體成膜時(shí)的基板表面溫度達(dá)到300~350℃。 另外,從以往開(kāi)始知道,在半導(dǎo)體層形成工序中,來(lái)自工序氣氛的水分或 碳成分的混入對(duì)半導(dǎo)體特性產(chǎn)生大的影響。因此,為了抑制從平坦化層的 氣體發(fā)散量,需要進(jìn)行與半導(dǎo)體層成膜溫度相等或比其高的溫度、例如, 300℃以上的加熱處理。然而,可以說(shuō),在現(xiàn)狀的用于平坦化層形成的熱 固化性樹(shù)脂的加熱工序中,對(duì)氣氛中的殘存氧量或水分量管理不充分,發(fā) 生熱固化性樹(shù)脂的劣化,從而存在光學(xué)透過(guò)率降低的問(wèn)題。
以上的問(wèn)題不限于有源矩陣基板,在印刷電路基板或電子裝置同類(lèi)中 也是伴隨微細(xì)化產(chǎn)生的問(wèn)題。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1:特開(kāi)平09-080416號(hào)公報(bào)
專(zhuān)利文獻(xiàn)2:特開(kāi)平09-090404號(hào)公報(bào)
專(zhuān)利文獻(xiàn)3:WO2005/057530A1
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供能夠進(jìn)行對(duì)電子裝置的高性能化高可靠性化 具有效果的加熱氣氛的控制的電子裝置的制造裝置、及制造方法。
另外,本發(fā)明的目的在于提供利用這些方法制造的高性能、高可靠性 的顯示裝置等電子裝置。
本發(fā)明人等為了實(shí)現(xiàn)上述目的,經(jīng)專(zhuān)心致志的研究的結(jié)果,發(fā)現(xiàn)電子 裝置制造中的制造裝置尤其加熱設(shè)備的內(nèi)表面的粗糙度及材質(zhì)對(duì)加熱氣 氛的氧或水分等雜質(zhì)含量產(chǎn)生大的影響,且控制加熱氣氛中的殘存氧量、 殘存水分量或還原性氣體量,對(duì)提高熱固化性樹(shù)脂的透明性提高有效,從 而完成了本發(fā)明。
因此,根據(jù)本發(fā)明可知,提供電子裝置制造用加熱處理裝置的內(nèi)表面 的表面粗糙度在以中心平均粗糙度Ra表現(xiàn)的情況下為1μm以下的制造裝 置。
還有,上述制造裝置的氧化物鈍態(tài)膜優(yōu)選氧化鉻、氧化鋁、氧化鈦中 的至少一種。
另外,根據(jù)本發(fā)明可知,優(yōu)選將加熱處理氣氛中用惰性氣體置換,且 將氣氛中的殘存氧濃度控制為10ppm以下。進(jìn)而,將殘存水分也控制在 10ppm以下。另外,優(yōu)選向惰性氣體中添加氫等還原性氣體0.1~100體積 %。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過(guò)改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來(lái)修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來(lái)自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
- 一種在多種電子設(shè)備,尤其是在電子服務(wù)提供商的電子設(shè)備和電子服務(wù)用戶(hù)的電子設(shè)備之間建立受保護(hù)的電子通信的方法
- 一種電子打火機(jī)及其裝配方法
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