[發明專利]半導體裝置的制造方法及半導體制造裝置

無效

• 申請號: 200580051562.8
• 申請日: 2005-09-13
• 公開（公告）號: CN101263589A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: 大見忠弘;寺本章伸;赤堀浩史
• 申請（專利權）人: 大見忠弘
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/02;H01L29/78;B65G49/00;B65G49/07;H01L21/316
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李貴亮

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在完成將半導體表面氫末端化的第一工序后，通過轉移到將所述半導體暴露于含有H₂氣體的惰性氣體氣氛中的第二工序，保持氫末端性。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第一工序在含有H₂氣體的惰性氣體氣氛中進行。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

H₂氣體相對于惰性氣體和H₂氣體的混合氣體的體積濃度是20ppm至3％。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述惰性氣體是含有N₂或Ar的至少一種的氣體。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述惰性氣體中的氧濃度為10ppb以下。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述含有H₂氣體的惰性氣體以10sccm以上的流量持續流過。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第一工序包括半導體干燥工序。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

連續地進行所述第一工序、和第二工序。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述半導體是硅。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第二工序在半導體輸送容器內進行。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第二工序在半導體保管容器內進行。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第二工序在進行所述第一工序的半導體制造裝置內進行。

13.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第一、第二工序的至少一個工序中、或在兩個工序之間，為了所述半導體的除電，在所述半導體存在的空間中進行真空紫外線或軟X射線的照射。

14.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在含有H₂氣體的惰性氣體氣氛中，H₂的分子的數量大于O₂的分子的數量。

15.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第一工序使用HF系藥液來進行氫末端化。

16.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第一工序在氫末端化后，用添加有H₂的H₂O沖洗。

17.根據權利要求16所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在添加有H₂的H₂O中，添加的H₂分子的數量大于H₂O中溶解的氧分子的數量。

18.一種半導體制造裝置，其特征在于，

在完成將半導體表面氫末端化的第一工序后，通過轉移到將半導體暴露于含有H₂氣體的惰性氣體氣氛中的第二工序，保持氫末端性。

19.根據權利要求18所述的半導體制造裝置，其特征在于，

所述第一工序在含有H₂氣體的惰性氣體氣氛中進行。

20.根據權利要求18所述的半導體制造裝置，其特征在于，

H₂氣體相對于惰性氣體和H₂氣體的混合氣體的體積濃度是20ppm至3％。

21.根據權利要求18所述的半導體制造裝置，其特征在于，

所述惰性氣體是含有N₂或Ar的至少一種的氣體。