[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體制造裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200580051562.8
• 申請(qǐng)日: 2005-09-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101263589A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大見(jiàn)忠弘;寺本章伸;赤堀浩史
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 大見(jiàn)忠弘
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/677
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/677;H01L21/02;H01L29/78;B65G49/00;B65G49/07;H01L21/316
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 李貴亮

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在完成將半導(dǎo)體表面氫末端化的第一工序后，通過(guò)轉(zhuǎn)移到將所述半導(dǎo)體暴露于含有H₂氣體的惰性氣體氣氛中的第二工序，保持氫末端性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第一工序在含有H₂氣體的惰性氣體氣氛中進(jìn)行。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

H₂氣體相對(duì)于惰性氣體和H₂氣體的混合氣體的體積濃度是20ppm至3％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述惰性氣體是含有N₂或Ar的至少一種的氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述惰性氣體中的氧濃度為10ppb以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述含有H₂氣體的惰性氣體以10sccm以上的流量持續(xù)流過(guò)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第一工序包括半導(dǎo)體干燥工序。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

連續(xù)地進(jìn)行所述第一工序、和第二工序。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述半導(dǎo)體是硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第二工序在半導(dǎo)體輸送容器內(nèi)進(jìn)行。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第二工序在半導(dǎo)體保管容器內(nèi)進(jìn)行。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第二工序在進(jìn)行所述第一工序的半導(dǎo)體制造裝置內(nèi)進(jìn)行。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第一、第二工序的至少一個(gè)工序中、或在兩個(gè)工序之間，為了所述半導(dǎo)體的除電，在所述半導(dǎo)體存在的空間中進(jìn)行真空紫外線或軟X射線的照射。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在含有H₂氣體的惰性氣體氣氛中，H₂的分子的數(shù)量大于O₂的分子的數(shù)量。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第一工序使用HF系藥液來(lái)進(jìn)行氫末端化。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第一工序在氫末端化后，用添加有H₂的H₂O沖洗。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在添加有H₂的H₂O中，添加的H₂分子的數(shù)量大于H₂O中溶解的氧分子的數(shù)量。

18.一種半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，

在完成將半導(dǎo)體表面氫末端化的第一工序后，通過(guò)轉(zhuǎn)移到將半導(dǎo)體暴露于含有H₂氣體的惰性氣體氣氛中的第二工序，保持氫末端性。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，

所述第一工序在含有H₂氣體的惰性氣體氣氛中進(jìn)行。

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，

H₂氣體相對(duì)于惰性氣體和H₂氣體的混合氣體的體積濃度是20ppm至3％。

21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，

所述惰性氣體是含有N₂或Ar的至少一種的氣體。