[發(fā)明專利]表面安裝型光半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200580049383.0
• 申請日: 2005-05-31
• 公開（公告）號: CN101156252A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 木村光行;山下薰;山下寬人;二川智之
• 申請（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 胡建新

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及在形成于基座上的凹部收納受發(fā)光元件并構(gòu)成了封裝體的表面安裝型光半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

作為以往的表面安裝型光半導(dǎo)體器件，已知有在封裝體用的基座上形成有具有端子部的布線圖形、發(fā)光元件面朝下接合于布線圖形上的表面安裝型發(fā)光二極管(例如參照專利文獻1)。圖5表示專利文獻1中記載的表面安裝型發(fā)光二極管101。

在圖5中，102是用由氧化鋁、氮化鋁、氮化硼等構(gòu)成的陶瓷形成的基座。在基座102的一個面上，形成有蝕刻銅箔而形成的布線圖形103。在基座102的另一個面上，用于安裝在電路安裝基板(未圖示)上的端子部104是通過鍍覆或印刷及燒制導(dǎo)電性材料等而形成的。布線圖形103與端子部104被導(dǎo)通連接。在基座102的上表面，包圍布線圖形103地接合燈罩105而形成了凹部106。

在上述結(jié)構(gòu)的基座102的布線圖形103上，通過利用金或者釬料等形成突起107，并利用超聲波焊接使突起107與發(fā)光元件108的電極焊盤相接合而安裝發(fā)光器件108。安裝之后，在凹部106中填充透明樹脂109，并通過加熱進行固化而構(gòu)成表面安裝型發(fā)光二極管。

專利文獻1：日本特開2003-37298號公報

發(fā)明內(nèi)容

但是，在上述以往的結(jié)構(gòu)中，構(gòu)成基座102的陶瓷，具有最小0.7μm的氧化鋁顆粒聚集在一起而形成的粒界，因此在使基座102的厚度薄至150μm以下的情況下，在維持氣密性上存在問題。而且，在變薄的情況下，存在以下問題：燒結(jié)后陶瓷基板發(fā)生翹曲而使加工性劣化，進而難以搭載到電路安裝基板上。

本發(fā)明是解決上述以往問題的發(fā)明，其目的是提供小型、薄型、氣密性高、并且抑制了制造成本的表面安裝型光半導(dǎo)體器件。

為了解決上述以往問題，本發(fā)明的表面安裝型光半導(dǎo)體器件具備：由玻璃基板形成的基座、在所述基座的第一主面?zhèn)刃纬傻陌疾俊乃霭疾康牡酌娌控灤┲了龌牡诙髅娴耐住⒃谒鐾椎膬?nèi)壁面上形成的內(nèi)壁導(dǎo)電被膜、由在所述凹部的底面部上的所述通孔的開口部周圍以與所述內(nèi)壁導(dǎo)電被膜導(dǎo)通的狀態(tài)形成的導(dǎo)電被膜構(gòu)成的布線圖形、通過導(dǎo)電性接合材料接合于所述布線圖形上的光半導(dǎo)體元件、由在所述第二主面上的所述通孔的開口部周圍以與所述內(nèi)壁導(dǎo)電被膜導(dǎo)通的狀態(tài)形成的導(dǎo)電被膜構(gòu)成的端子部、以及堵塞所述通孔并與所述內(nèi)壁導(dǎo)電被膜接合的金屬部。

另外，本發(fā)明的表面安裝型光半導(dǎo)體器件的制造方法為：在玻璃基板的第一主面?zhèn)刃纬砂疾浚纬蓮乃霭疾康牡酌娌控灤┲了霾ＡЩ宓牡诙髅娴耐祝谒鐾椎膬?nèi)壁和所述第一主面以及所述第二主面上的所述通孔的開口部周圍形成導(dǎo)電被膜，在所述通孔中填充金屬部并與所述導(dǎo)電被膜相接合，通過導(dǎo)電性結(jié)合材料將光半導(dǎo)體元件接合于形成在所述第一主面上的所述導(dǎo)電被膜上。

根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的表面安裝型光半導(dǎo)體器件，能夠得到氣密性高、被小型、薄型化了的構(gòu)造，進而，能夠得到即使實行小型薄型化也不會發(fā)生翹曲、加工性及對電路安裝基板的搭載性良好的特性。

另外，根據(jù)按上述結(jié)構(gòu)的制造方法，可以廉價制造陶瓷難以實現(xiàn)的、小型、薄型的表面安裝型光半導(dǎo)體器件。

附圖說明

圖1A是本發(fā)明的實施方式1的表面安裝型發(fā)光二極管的俯視圖。

圖1B是沿圖1A的A-A′線的剖視圖。

圖2A是本發(fā)明的實施方式2的表面安裝型發(fā)光二極管器件的俯視圖。

圖2B是圖2A的表面安裝型發(fā)光二極管器件的背面圖。

圖2C是沿圖2A的B-B線的剖視圖。

圖3A是表示本發(fā)明的實施方式3的表面安裝型光半導(dǎo)體器件的制造方法的按工序流程的剖視圖。

圖3B是表示圖3A的下一工序的剖視圖。

圖3C是表示圖3A的下一工序的剖視圖。

圖3D是表示圖3A的下一工序的剖視圖。

圖3E是表示圖3A的下一工序的剖視圖。

圖4是本發(fā)明的實施方式4的表面安裝型發(fā)光二極管的剖視圖。

圖5是以往例的表面安裝型發(fā)光二極管的剖視圖。

圖號說明

1表面安裝型發(fā)光二極管；2基座；3第一主面；4平坦部；5凹部；6第二主面；7通孔；7a導(dǎo)電被膜；8發(fā)光元件；9布線圖形；10端子部；11放射壁；12反射被膜；13金屬部；14突起；15透光性樹脂；16玻璃基板；17導(dǎo)電圖形；18通孔；19金屬部；20透光性蓋；101表面安裝型半導(dǎo)體器件；102基座；103布線圖形；104端子；105燈罩；106凹部；107突起；108發(fā)光元件；109透明樹脂

具體實施方式