[發明專利]半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200580049070.5
• 申請日: 2005-03-16
• 公開（公告）號: CN101142668A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: 永井孝一
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 張龍哺

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

線路區域，其形成半導體集成電路；

監控區域，其具有2個以上的監控層，每個與構成上述半導體集成電路的2個以上的層同時被形成；

上述監控層的每個具有彼此分離配置的2個以上同一形狀的監控圖形。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，上述每個監控層都具有至少5個以上相同形狀的監控圖形。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，設置在上述監控區域內的所有監控圖形彼此在同一個方向上延伸。

4.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，設置在上述監控區域內的所有監控圖形彼此在同一個方向上延伸。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

形成2個以上的上述監控區域；

在2個監控區域之間，上述監控圖形延伸的方向不同。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，在上述2個監控區域之間，上述監控圖形的延伸方向彼此正交。

7.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，上述5個以上的監控圖形，彼此按照一定間距進行配置。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，上述5個以上的監控圖形，彼此在同一個方向延伸。

9.如權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，

形成有2個以上的上述監控區域；

在2個監控區域之間，上述監控圖形延伸的方向不同。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，在上述2個監控區域之間，上述監控圖形的延伸方向彼此正交。

11.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，具有表示上述監控區域位置的識別標志。

12.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

形成有2個以上的上述監控區域；

具有表示上述各個監控區域的位置的2個以上的識別標志。

13.如權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于，

設置在上述監控區域內的所有監控圖形彼此在同一個方向上延伸；

至少在2個監控區域之間，上述監控圖形的延伸方向不同；

上述識別標志表示上述監控區域的位置以及上述監控圖形的延伸方向。

14.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，對應構成上述半導體集成電路的所有的層形成上述監控層。

15.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，上述監控區域形成在4個角上。

16.如權利要求15所述的半導體裝置，其特征在于，上述監控區域也形成在上述線路區域的中心部。

17.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

將半導體基板劃分成線路區域和監控區域之后，在上述線路區域內形成構成半導體集成電路的第1層，同時在上述監控區域內形成第1監控層的工序；

在上述第1層的上面或上方形成構成上述半導體集成電路的第2層，同時在上述第1監控層的上面或上方形成第2監控層的工序；

在上述第1及第2監控層的每一個上，形成彼此分離配置的2個以上相同形狀的監控圖形。

18.如權利要求17所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在每個上述監控層上，至少形成5個以上相同形狀的監控圖形。

19.如權利要求18所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，形成在上述監控區域內的所有監控圖形彼此在同一個方向上延伸。

20.如權利要求19所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，設置2個以上的上述監控區域，并且在2個監控區域之間，上述監控圖形的延伸方向彼此正交。