[發明專利]CMP裝置用擋圈及其制造方法、以及CMP裝置

無效

• 申請號: 200580048970.8
• 申請日: 2005-04-12
• 公開（公告）號: CN101137464A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 一住連努
• 申請（專利權）人: 日本精密電子株式會社
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04;H01L21/304
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 陳建全

1.一種CMP裝置用擋圈，其在具備配置在研磨盤上的研磨墊、和保持晶片并將其按壓在所述研磨墊上的保持頭，從而對所述晶片進行化學機械研磨的CMP裝置中，配設在所述保持頭內，以環狀包圍所述晶片的外周，并且按壓所述研磨墊的研磨面，所述CMP裝置用擋圈的特征在于：

由工程塑料材料構成，使按壓所述研磨墊的研磨面的按壓面的表面粗糙度以粗糙度算術平均偏差值計為0.01μm以下。

2.如權利要求1所述的CMP裝置用擋圈，其特征在于：

在位于所述按壓面的背面的所述擋圈的背面上形成有被保持部，對所述按壓面進行研磨加工。

3.一種CMP裝置用擋圈的制造方法，該擋圈在具備配置在研磨盤上的研磨墊、和保持晶片并將其按壓在所述研磨墊上的保持頭，從而對所述晶片進行化學機械研磨的CMP裝置中，配設在所述保持頭內，以環狀包圍所述晶片的外周，并且按壓所述研磨墊的研磨面，而且由工程塑料制成，所述制造方法的特征在于：

在將除了按壓所述研磨墊的研磨面的按壓面以外的形狀面加工為規定的尺寸后，

對所述擋圈不施加外周壓及內周壓而保持所述擋圈，在此狀態下將所述按壓面機械加工，再進行研磨加工，直到其表面粗糙度以粗糙度算術平均偏差值計為0.01μm以下。

4.如權利要求3所述的CMP裝置用擋圈的制造方法，其特征在于：

采用下述的研磨裝置進行所述研磨加工，該研磨裝置具備配置在研磨盤上的研磨墊、一邊使所述擋圈旋轉一邊將其按壓面按壓在所述研磨墊上的按壓機構、和對所述研磨墊供給漿液的漿液供給機構，該研磨裝置能夠調節所述按壓機構的按壓力及旋轉速度、和所述漿液供給機構的漿液供給量。

5.如權利要求4所述的CMP裝置用擋圈的制造方法，其特征在于：

在進行所述研磨加工之前，在所述研磨裝置中安裝適應用擋圈，進行適應加工。

6.如權利要求3～5中任一項所述的CMP裝置用擋圈的制造方法，其特征在于：

在僅保持位于所述按壓面的背面的所述擋圈的背面側的狀態下進行所述機械加工和研磨加工。

7.如權利要求6所述的CMP裝置用擋圈的制造方法，其特征在于：

在所述擋圈的背面上形成被保持部，通過具有保持該被保持部的保持部的機械加工夾具保持所述擋圈，在此狀態下進行所述機械加工。

8.如權利要求7所述的CMP裝置用擋圈的制造方法，其特征在于：

通過支撐位于所述保持部的背面的所述機械加工夾具的背面側的研磨加工夾具支撐保持著所述擋圈的所述機械加工夾具，在此狀態下進行所述研磨加工。

9.一種CMP裝置用擋圈的機械加工夾具，其是在權利要求7所述的CMP裝置用擋圈的制造方法中使用的所述機械加工夾具，其特征在于：

為平盤狀，在與所述擋圈的背面進行面接觸的安裝面上，具備保持形成在所述擋圈的背面上的被保持部的保持部。

10.一種CMP裝置用擋圈的研磨加工夾具，其是在權利要求8所述的CMP裝置用擋圈的制造方法中使用的所述研磨加工夾具，其特征在于：

為平盤狀，具備收容位于所述安裝面的背面的所述機械加工夾具的背面側、嵌合在所述機械加工夾具的外周面上、且支撐所述機械加工夾具的背面的凹狀支撐部。

11.一種CMP裝置，其具備配置在研磨盤上的研磨墊、和保持晶片并將其按壓在所述研磨墊上的保持頭，在該保持頭內配設有以環狀包圍所述晶片的外周并且按壓所述研磨墊的研磨面的擋圈，用于對所述晶片進行化學機械研磨，其特征在于：

所述擋圈由工程塑料材料構成，將按壓所述研磨墊的研磨面的所述擋圈的按壓面的表面粗糙度設定成以粗糙度算術平均偏差值計為0.01μm以下。