[發明專利]調節吸氣劑材料的方法有效
| 申請號: | 200580048622.0 | 申請日: | 2005-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN101128906A | 公開(公告)日: | 2008-02-20 |
| 發明(設計)人: | J·D·特雷梅爾 | 申請(專利權)人: | 納幕爾杜邦公司 |
| 主分類號: | H01J19/70 | 分類號: | H01J19/70;F04B37/02 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 劉冬;韋欣華 |
| 地址: | 美國特*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 調節 吸氣 材料 方法 | ||
交叉引用
[0001]本申請要求2004年12月30日提交的美國臨時申請序列號60/640,569的權益,其公開內容通過全文引用結合于本文中。
發明領域
[0002]本公開通常涉及調節吸氣劑材料的方法,例如在有機電子裝置中遇到的那些吸氣劑材料,以及材料和制造所述材料的方法。
發明背景
[0003]有機電子裝置定義了一類包含活性層的產品。保護有機電子裝置免受環境因素,例如氧氣和水分的影響,有助于保持活性層的完整,從而保持電子裝置的儲藏壽命。因此,有機電子裝置往往包含“吸氣劑”材料,例如吸附劑和吸收劑材料。吸氣劑材料可置于含有有機電子裝置的外殼內,以保護對污染氣體最敏感的材料,例如活性層。
[0004]有機電子裝置的制造提出某些限制吸氣劑使用的過程。例如,一些吸氣劑一般需要通常在高至約650℃的溫度下熱活化。作為對比,有機電子裝置中的活性有機材料一般不能耐受遠高于約300℃的溫度。因此,已經通過以下方法實現活化,在對流烘箱內加熱至高溫(即約400℃)(“溫度擺動吸附(Thermal?Swing?Adsorption)”),或用吹掃氣體和/或真空除去水分子使沸石經受非常“干燥”的環境(“壓力擺動(Pressure?Swing)”方法)。由于長加工時間和昂貴的加熱/真空設備,這兩種方案都涉及到高制備成本。
[0005]因此,仍需要簡化和促進這類裝置的制造。此外,需要改善的活化吸氣劑材料的方法。
發明概述
[0006]所提供的是調節吸氣劑材料的方法,所述方法包括使吸氣劑材料受到微波輻射。還提供采用所調節的吸氣劑材料的電子裝置和這類電子裝置的制造方法。
[0007]前述一般性描述和下列詳細描述只是示例性和說明性的,并不限制如所附權利要求中所定義的本發明。
附圖簡述
[0008]為增加對本文所提出的概念的理解,用附圖說明各實施方案。
[0009]圖1是有機電子裝置的示意圖。
[0010]圖2表示吸氣劑材料的微波加熱周期期間的溫度分布。
[0011]圖3是電子裝置的示意圖。
[0012]提供這些圖用作例子,并不打算限制本發明。熟練的技術人員理解,圖中的物體只為簡單明了地圖解,不一定按比例畫出。例如,為幫助增加對實施方案的理解,相對于其它物體,圖中的某些物體的尺寸可能被放大。
發明詳述
[0013]本發明方法包括通過使吸氣劑材料暴露于微波輻射活化吸氣劑材料。在一個實施方案中,用微波輻射激發結合到吸氣劑材料(例如沸石材料)的組分的水是快速的并采用廉價的設備導致較低的制造成本而沒有犧牲性能。而且,在微波輻射存在下,吸氣劑材料可位于其上的襯底例如罩一般保持比吸氣劑材料更冷。
[0014]除速度和便利之外,該方法是合乎需要的,這是由于認為微波能量直接結合到吸氣劑材料例如沸石基體中的水。這意味著吸氣劑材料不需要達到這么高的溫度以成功再生。因此,微波脫水比熱(熱)或壓力改變更有效。
[0015]在一些實施方案中,吸氣劑材料暴露于300℃或更低的溫度。吸氣劑材料可為具有干燥能力的任何材料,例如作為吸收劑、吸附劑或二者的組合的材料是合乎需要的。在一個實施方案中,吸氣劑材料包括分子篩,例如沸石。與在對流烘箱中調節要求的時間相比,使吸氣劑材料受到更短時間的微波輻射。例如,在一些情況中,吸氣劑材料經微波輻射加熱5分鐘或更少。在另一個實施方案中,加熱3分鐘或更少。
[0016]在另一個實施方案中提供制造電子裝置的方法,所述方法包括用微波輻射加熱吸氣劑材料和將吸氣劑材料封裝到電子裝置中。加熱步驟期間的溫度可為例如300℃或更低。在一個實施方案中,吸氣劑材料被加熱5分鐘或更少。在另一個實施方案中,吸氣劑材料被加熱3分鐘或更少。
[0017]其它方法可進一步包括在封裝吸氣劑材料之前冷卻吸氣劑材料。
[0018]在某些實施方案中,該方法還包括使吸氣劑材料在襯底上成層。例如,吸氣劑材料可被沉積為薄膜。在一個實施方案中,吸氣劑材料的厚度小于或等于100μm。在另一個實施方案中,厚度小于或等于1μm。在一個實施方案中,電子裝置包括襯底、陽極層、陰極層和活性層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于納幕爾杜邦公司,未經納幕爾杜邦公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200580048622.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





