[發明專利]磁記錄介質、其制造方法以及磁記錄和再現裝置

無效

• 申請號: 200580048297.8
• 申請日: 2005-10-27
• 公開（公告）號: CN101120403A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發明（設計）人: 大澤弘;清水謙治
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: G11B5/738
• 分類號: G11B5/738;G11B5/73;G11B5/64;G11B5/851;G11B5/65
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 楊曉光;于靜

1.一種磁記錄介質，至少包括：非磁性內涂層、非磁性中間層、磁性層和保護層，它們按照遞升的順序層疊在非磁性基底上，

其中所述非磁性內涂層包括至少一層，并且所述非磁性內涂層的至少一層由多組分體心立方晶體合金構成，該合金包括：由Cr和V構成的A組元素中的至少一種元素、由Mo和W構成的B組元素中的至少一種元素、以及由Nb、Ta和Ti構成的C組元素中的至少一種元素。

2.一種磁記錄介質，至少包括：非磁性內涂層、穩定層、非磁性耦合層、磁性層和保護層，它們按照遞升的順序層疊在非磁性基底上，以及所述穩定層反鐵磁性地耦合到所述磁性層，

其中所述非磁性內涂層包括至少一層，并且所述非磁性內涂層的至少一層由多組分體心立方晶體合金構成，該合金包括：由Cr和V構成的A組元素中的至少一種元素、由Mo和W構成的B組元素中的至少一種元素、以及由Nb、Ta和Ti構成的C組元素中的至少一種元素。

3.根據權利要求1或權利要求2所述的磁記錄介質，其中在所述非磁性內涂層中采用的多組分體心立方晶體合金中，選自于A組的元素具有10至60at％的總含量，選自于B組的元素具有10至80at％的總含量，以及選自于C組的元素具有10至60at％的總含量。

4.根據權利要求1或權利要求2所述的磁記錄介質，其中在所述非磁性內涂層中采用的多組分體心立方晶體合金具有體心立方結構，以及晶格常數是3.05至3.20

5.根據權利要求1或權利要求2所述的磁記錄介質，其中所述非磁性中間層包括以下至少一種元素金屬或合金：CoCr合金、CoCrPt合金、Ru、Ru合金、Re和Re合金。

6.根據權利要求2所述的磁記錄介質，其中所述非磁性耦合層包括以下至少一種元素金屬或合金：Ru、Rh、Ir、Cr、Re、Ru合金、Rh合金、Ir合金、Cr合金和Re合金，以及所述非磁性耦合層的厚度為0.5至1.5納米。

7.根據權利要求1或權利要求2所述的磁記錄介質，其中所述非磁性中間層包括以下至少一種合金：CoCrZr合金、CoCrTa合金、CoRu合金、CoCrRu合金、CoCrPtZr合金、CoCrPtTa合金、CoPtRu合金和CoCrPtRu型合金。

8.根據權利要求1或權利要求2所述的磁記錄介質，其中所述非磁性內涂層具有多層結構，該多層結構包括具有Cr或Cr合金的層和具有多組分體心立方晶體合金的層，所述Cr合金包括Cr和以下至少一種元素：Ti、Mo、Al、Ta、W、Ni、B、Si、Mn和V。

9.根據權利要求1或權利要求2所述的磁記錄介質，其中所述非磁性內涂層具有多層結構，該多層結構包括具有NiAl合金、RuAl合金和多組分體心立方晶體合金的層。

10.根據權利要求1或權利要求2所述的磁記錄介質，其中所述磁性層包括以下至少一種合金：CoCrTa合金、CoCrPtTa合金、CoCrPtB合金和CoCrPtBM合金，其中M是Ta、Cu和Ag中的一種或多種元素。

11.根據權利要求1或權利要求2所述的磁記錄介質，其中所述非磁性基底是玻璃基底或硅基底。

12.根據權利要求1或權利要求2所述的磁記錄介質，在所述非磁性基底中，在選自于Al、Al合金、玻璃和硅基底的基底的表面上形成包括NiP或NiP合金的膜。

13.一種制造磁記錄介質的方法，該磁記錄介質至少包括：非磁性內涂層、非磁性中間層、磁性層和保護層，它們按照該順序層疊在非磁性基底上，其中所述非磁性內涂層包括至少一層，并且所述非磁性內涂層的至少一層由多組分體心立方晶體合金構成，該合金包括：由Cr和V構成的A組元素中的至少一種元素、由Mo和W構成的B組元素中的至少一種元素、以及由Nb、Ta和Ti構成的C組元素中的至少一種元素。