[發明專利]交替相移光刻的三色調修整掩模

無效

• 申請號: 200580047551.2
• 申請日: 2005-12-01
• 公開（公告）號: CN101443702A
• 公開（公告）日: 2009-05-27
• 發明（設計）人: T·J·阿托恩
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03C5/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 趙蓉民

1.包含修整掩模的光刻設備，其包括：

透明區域，其包括基本透明材料，并且其可用來基本透射所接收的光；

衰減相移區域，其包括衰減相移材料，并且其可用來衰減所接收的光并移動所述所接收的光的相位；經相移的衰減光可用來圖案化晶片的粗線區域；以及

不透明區域，其包括不透明材料，并且其可用來基本防止所接收的光對所述晶片的細線區域進行曝光。

2.根據權利要求1所述的設備，進一步包括交替式相移掩模，所述交替式相移掩模可用以圖案化所述細線區域。

3.根據權利要求1或2所述的設備，其包括：

襯底，其包括基本透明的材料，該基本透明的材料可用以基本透射所接收的光；

設置于所述襯底上的衰減相移層，所述衰減相移層包括衰減相移材料，該衰減相移材料可用以衰減所接收的光并且移動所述所接收的光的相位；以及

設置在所述襯底上的不透明層；所述不透明層包括不透明材料，該不透明材料可用以基本阻擋所接收的光，所述衰減相移層和所述不透明層被圖案化以形成所述衰減相移區域和所述不透明區域。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的設備，其中所述衰減相移區域進一步可用以將所述所接收的光的相位移動大約180°。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的設備，其中所述衰減相移材料包括硅化鉬。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的設備，其中：

所述粗線區域進一步包括互連區域；并且所述細線區域進一步包括柵極區域。

7.一種制作光刻修整掩模的方法，其包括：

在襯底上沉積衰減相移層，所述襯底包括基本透明的材料，所述衰減相移層包括衰減相移材料；

在所述衰減相移層上沉積不透明層，所述不透明層包括基本不透明的材料；

圖案化所述衰減相移層和所述不透明層，以產生一個或更多個透明區域，透明區域可用以基本透射光；以及

圖案化所述不透明層，以產生一個或更多個不透明區域和一個或更多個衰減相移區域，衰減相移區域可用以衰減所接收的光并移動所述所接收的光的相位，不透明區域可用以基本防止光對晶片的細線區域進行曝光。

8.一種制造半導體器件的方法，其包括：

利用修整掩模來曝光半導體襯底，所述修整掩模包括：

透明區域，其包括基本透明的材料，并且其可用以基本透射所接收的光；

衰減相移區域，其包括衰減相移材料，并且其可用以衰減所接收的光并移動所述所接收的光的相位；經相移的衰減光可用以圖案化粗線區域；和

不透明區域，其包括不透明材料，并且其可用以基本防止所接收的光對細線區域進行曝光；以及

利用交替式相移掩模材料來曝光所述襯底，以圖案化所述晶片的所述細線區域。