[發(fā)明專利]電子器件陣列

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200580047427.6
• 申請(qǐng)日: 2005-12-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101111937A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 保羅·A·凱恩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 造型邏輯有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/00
• 分類號(hào): H01L27/00;H01L51/10;H01L51/40
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 王以平

1.一種制造電子器件陣列的方法，包括以下步驟：在襯底上形 成第一電子器件的一個(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)電元件以及在所述襯底上形成 第二電子器件的一個(gè)或多個(gè)第二導(dǎo)電元件；在襯底和第一及第二導(dǎo)電 元件上形成溝道材料層以提供第一溝道，用于所述第一電子器件的導(dǎo) 電元件之間的電荷載流子運(yùn)動(dòng)，以及提供第二溝道用于所述第二電子 器件的導(dǎo)電元件之間的電荷載流子運(yùn)動(dòng)；其中該方法還包括利用照射 技術(shù)以在單一步驟中減小在第一和第二導(dǎo)電元件之間的一個(gè)或多個(gè) 區(qū)域中的溝道材料層的一個(gè)或多個(gè)選定部分的導(dǎo)電性的步驟(a)。

2.權(quán)利要求1中記載的方法，其中，

所述步驟(a)包括使用照射技術(shù)以在單一步驟中去除溝道材料 層的所述一個(gè)或多個(gè)選定部分，從而減小所述一個(gè)或多個(gè)選定部分的 導(dǎo)電性。

3.權(quán)利要求2中記載的方法，其中，

所述步驟(a)以不照射第一和第二導(dǎo)電元件上方的溝道材料層 的任何部分的方式進(jìn)行。

4.權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)記載的方法，其中，

溝道材料為半導(dǎo)體材料。

5.權(quán)利要求1中記載的方法，其中，

所述步驟(a)包括使用所述照射技術(shù)以在位于第一和第二導(dǎo)電 元件之間的溝道材料層的一個(gè)或多個(gè)選定部分、和/或位于溝道材料層 的所述一個(gè)或多個(gè)選定部分之下的襯底的各個(gè)部分局部地產(chǎn)生熱，其 中所述熱引起溝道材料的光致發(fā)熱和/或光化學(xué)變性處理，用于降低溝 道材料層的所述一個(gè)或多個(gè)選定部分的導(dǎo)電性。

6.上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)記載的方法，其中，

所述步驟(a)包括燒蝕所述溝道材料的所述部分。

7.權(quán)利要求6中記載的方法，其中，

利用紫外激光輻射燒蝕所述溝道材料的所述部分。

8.權(quán)利要求1中記載的方法，其中，

所述步驟(a)中的一個(gè)或多個(gè)選定部分包括在垂直于所述第一 和第二導(dǎo)電元件之間的方向上延伸的一條或多條線。

9.權(quán)利要求1中記載的方法，還包括：

在襯底上形成一對(duì)第一導(dǎo)電元件和一對(duì)第二導(dǎo)電元件；其中溝道 材料層在所述一對(duì)第一導(dǎo)電元件之間提供所述第一溝道和在所述一 對(duì)第二導(dǎo)電元件之間提供所述第二溝道。

10.權(quán)利要求9中記載的方法，其中，

所述溝道材料層中的所述選定部分與所述第一和第二溝道的間 距大于10微米。

11.權(quán)利要求9中記載的方法，其中，

所述溝道材料層中的所述選定部分與所述第一和第二溝道的間 距大于50微米。

12.權(quán)利要求9中記載的方法，其中，

所述溝道材料層的所述選定部分與所述第一和第二導(dǎo)電元件的 間距大于10微米。

13.權(quán)利要求9中記載的方法，其中，

所述溝道材料層的所述選定部分與所述第一和第二導(dǎo)電元件的 間距大于50微米。

14.權(quán)利要求9中記載的方法，其中，

所述一對(duì)第一導(dǎo)電元件形成第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的源電極和 漏電極；所述一對(duì)第二導(dǎo)電元件對(duì)形成第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的源電 極和漏電極。

15.權(quán)利要求1中記載的方法，其中，

所述步驟(a)中的一個(gè)或多個(gè)選定部分包括一系列在柵線下連 續(xù)延伸的至少兩條線。

16.權(quán)利要求14中記載的方法，還包括：

在襯底、第一和第二導(dǎo)電元件和溝道材料層上形成絕緣層的步驟 (b)以及形成在第一和第二溝道的每個(gè)上方延伸的柵極線的步驟 (c)。

17.權(quán)利要求16中記載的方法，其中，第一和第二電子器件為 常關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，且步驟(a)的所述一個(gè)或多個(gè)選定部分 包括位于所述柵極線下方的部分。