[發明專利]磁性多層膜的制造方法有效
| 申請號： | 200580045808.0 | 申請日： | 2005-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN101095246A | 公開（公告）日： | 2007-12-26 |
| 發明（設計）人： | 菊地幸男;森田正 | 申請（專利權）人： | 株式會社愛發科 |
| 主分類號： | H01L43/12 | 分類號： | H01L43/12;H01L27/105;G11B5/39;H01L43/08;H01L21/8246;H01F41/18 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 | 代理人： | 陸弋;宋志強 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁性 多層 制造 方法 | ||
1、一種磁性多層膜的制造方法，該方法包括：
在襯底上形成第1磁性層的第1磁性層形成工序；
在所述第1磁性層上形成非磁性層的非磁性層形成工序；
在所述非磁性層上形成第2磁性層的第2磁性層形成工序；
其特征在于，該方法還包括：等離子體處理工序，在所述非磁性層形成工序之前，將所述襯底放到等離子體處理裝置中，使所述襯底與所述等離子體處理裝置處于電絕緣狀態，用感應耦合等離子體進行處理。
2、一種磁性多層膜的制造方法，該方法包括：
在襯底上形成第1磁性層的第1磁性層形成工序；
在所述第1磁性層上形成非磁性層的非磁性層形成工序；
在所述非磁性層上形成第2磁性層的第2磁性層形成工序；
其特征在于，該方法還包括：等離子體處理工序，在所述非磁性層形成工序之前，將所述襯底放到等離子體處理裝置中，使所述襯底接地，用感應耦合等離子體進行處理。
3、根據權利要求1或2所述的磁性多層膜的制造方法，其特征在于，
在所述等離子體處理工序中，對所述等離子體處理裝置的輸入功率為5W～400W。
4、根據權利要求1或2所述的磁性多層膜的制造方法，其特征在于，
所述等離子體處理工序中的等離子體處理時間為180秒以內。
5、根據權利要求1或2所述的磁性多層膜的制造方法，其特征在于，
所述等離子體處理工序中的等離子體處理，是對與所述非磁性層接觸的所述第1磁性層的表面進行。
6、根據權利要求1或2所述的磁性多層膜的制造方法，其特征在于，
在所述第1磁性層形成工序之前，進一步包括：
對所述襯底形成第1基底層的第1基底層形成工序；
在所述第1基底層上形成第2基底層的第2基底層形成工序；
在所述第2基底層上形成反鐵磁性層的反鐵磁性層形成工序；
其中，所述等離子體處理工序中的等離子體處理，是在所述第2基底層形成工序之前，對所述第1基底層的表面進行。
7、根據權利要求1或2所述的磁性多層膜的制造方法，其特征在于，
所述磁性多層膜為隧道磁電阻膜，所述非磁性層為隧道勢壘層。
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