[發明專利]具有覆在聚合體層上的隆起的半導體器件封裝

有效

• 申請號: 200580045561.2
• 申請日: 2005-10-28
• 公開（公告）號: CN101138084A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 瓊·K·維蒂斯;安東尼·柯蒂斯;布萊特·垂默;布里安·金;亨利·Y·魯;哈羅克·巴爾坎
• 申請（專利權）人: 弗利普芯片國際有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/52;H01L29/40;H01L21/44;H01L21/48;H01L21/50
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 王新華

1.一種半導體器件，包括：

襯底，所述襯底具有集成電路和多個導電粘結焊盤，所述集成電路形成在襯底的前表面上，所述多個粘結焊盤形成在所述前表面處用于形成對集成電路的電互連；

在襯底的前表面上的晶片鈍化層，其中所述晶片鈍化層具有用于露出導電粘結焊盤的至少一部分的開口；

覆在晶片鈍化層上的聚合體層，其中所述聚合體層與導電粘結焊盤的頂面的一部分重疊并與其接觸，且所述聚合體層具有用于露出導電粘結焊盤的中心部分的開口；

導電層，所述導電層定位成覆在所述聚合體層的至少一部分上并與其接觸，且提供多個焊料隆起焊盤，其中所述導電層通過在聚合體層上的開口接觸所述導電粘結焊盤；和

多個焊料隆起，所述多個焊料隆起每一個固定到焊料隆起焊盤中的對應的一個上。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述襯底是半導體襯底。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述聚合體層與導電粘結焊盤中的每一個的頂面重疊至少大約1微米。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述晶片鈍化層由從由氮化硅、氧氮化物、聚酰亞胺、苯并環丁烯、聚苯并惡唑、和聚苯并惡唑的衍生物組成的組中選擇的一種材料形成。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述晶片鈍化層是聚合體層。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述聚合體層具有大于大約2微米的厚度，且所述導電層適于將電信號從集成電路傳送到電連接到焊料隆起的外部電路，從而對于具有大于大約1MHz的頻率的電信號，導電層與集成電路之間的電干擾并沒有阻止所述電信號的有效傳輸。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述頻率大于大約100MHz。

8.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述頻率小于大約1GHz。

9.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述導電層包括鈦。

10.一種半導體晶片，包括多個半導體器件，其中每一個半導體器件根據權利要求1構造。

11.一種無線電發射機，包括根據權利要求1的半導體器件。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述焊料隆起焊盤中的每一個進一步包括在導電層上的隆起下金屬化層，用于將焊料隆起中的每一個固定到它對應的焊料隆起焊盤上。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，進一步包括上鈍化層，所述上鈍化層覆在導電層上，且其中所述隆起下金屬化層延伸到上鈍化層的頂面的一部分上并與其重疊。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中所述隆起下金屬化層與上鈍化層的頂面的一部分重疊至少1微米。

15.根據權利要求13所述的半導體器件，其中所述上鈍化層是聚合體層。

16.根據權利要求13所述的半導體器件，其中所述上鈍化層包括聚苯并惡唑。

17.根據權利要求13所述的半導體器件，其中所述隆起下金屬化層的寬度大于導電粘結焊盤中的每一個的寬度。

18.根據權利要求17所述的半導體器件，其中所述隆起下金屬化層具有大體上圓形的形狀，且所述隆起下金屬化層的寬度是所述直徑。

19.根據權利要求17所述的半導體器件，其中所述導電粘結焊盤的每一個具有大體上矩形的形狀，且每一個焊盤的寬度是較短的矩形尺寸。

20.根據權利要求12所述的半導體器件，其中所述隆起下金屬化層包括鋁、鎳和銅。

21.根據權利要求20所述的半導體器件，其中所述鎳摻雜有釩。

22.根據權利要求21所述的半導體器件，進一步包括鈦層，所述鈦層在隆起下金屬化層的底面上或頂面上。

23.根據權利要求20所述的半導體器件，其中所述導電層包括鈦/鋁/鈦疊層。

24.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述導電層提供了多個再分布跡線，所述多個再分布跡線用于將多個焊料隆起焊盤電連接到多個導電粘結焊盤。