[發(fā)明專利]磁盤結(jié)構(gòu)及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200580044907.7
• 申請(qǐng)日: 2005-12-27
• 公開（公告）號(hào): CN101300630A
• 公開（公告）日: 2008-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 重富孝士;刈本博保
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 王祝
• 主分類號(hào): G11B7/24
• 分類號(hào): G11B7/24;G11B7/26
• 代理公司: 北京君尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 余功勛

1.一種磁盤結(jié)構(gòu)，其特征在于：在形成于磁盤上的磁性薄膜上形成有無(wú)線通信部的構(gòu)成部。

2.一種磁盤結(jié)構(gòu)，其特征在于：在磁盤上按順序形成金屬薄膜、磁性薄膜、絕緣膜，同時(shí)，在上述絕緣膜上形成RF-ID芯片以及與上述RF-ID芯片連接的天線的構(gòu)成部。

3.一種磁盤結(jié)構(gòu)，其特征在于：在磁盤上按順序形成磁性薄膜、絕緣膜，同時(shí)，在上述絕緣膜上形成RF-ID芯片以及與上述RF-ID芯片連接的天線的構(gòu)成部。

4.一種根據(jù)權(quán)利要求2記載的磁盤結(jié)構(gòu)，其特征在于：上述金屬薄膜由鋁材料形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)記載的磁盤結(jié)構(gòu)，其特征在于：上述磁性薄膜由鐵氧體材料形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)記載的磁盤結(jié)構(gòu)，其特征在于：在上述磁盤中形成有凹部，在該凹部形成有上述構(gòu)成部。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)權(quán)利要求記載的磁盤結(jié)構(gòu)，其特征在于：上述構(gòu)成部被樹脂模型層覆蓋。

8.根據(jù)權(quán)利要求6記載的磁盤結(jié)構(gòu)，其特征在于：形成于上述凹部的上述構(gòu)成部由樹脂模型覆蓋，且構(gòu)成為與上述凹部以外的磁盤表面大致共面。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)記載的磁盤結(jié)構(gòu)，其特征在于：上述無(wú)線通信部或RF-ID芯片安裝在磁盤內(nèi)圓周側(cè)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)記載的磁盤結(jié)構(gòu)，其特征在于：上述磁盤的兩個(gè)表面具有記錄面。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10任意一項(xiàng)記載的磁盤結(jié)構(gòu)，其特征在于：上述磁盤由兩個(gè)磁盤粘貼構(gòu)成，在中央部附近位置夾持設(shè)置上述無(wú)線通信部。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至11任意一項(xiàng)記載的磁盤結(jié)構(gòu)，其特征在于：上述磁盤是光盤。

13.一種磁盤結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包含：制作磁盤的步驟，在上述磁盤上的規(guī)定部分形成金屬薄膜的步驟，在上述金屬薄膜上形成磁性薄膜的步驟，在上述磁性薄膜上形成絕緣膜的步驟，在上述絕緣膜上形成金屬薄膜后，通過(guò)蝕刻形成期望形狀的天線線圈的步驟，通過(guò)粘著層將RF-ID芯片固定在上述磁盤的規(guī)定區(qū)域的步驟，以及將上述RF-ID芯片與上述天線線圈連接的步驟。

14.一種磁盤結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于，包括：制作磁盤的步驟，在上述磁盤上的規(guī)定部分形成磁性薄膜的步驟，在上述磁性薄膜上形成絕緣膜的步驟，在上述絕緣膜上形成金屬薄膜后，通過(guò)蝕刻形成期望形狀的天線線圈的步驟，通過(guò)粘著層將RF-ID芯片固定在上述磁盤的規(guī)定區(qū)域的步驟，以及將上述RF-ID芯片與上述天線線圈連接的步驟。