[發(fā)明專利]重復(fù)測(cè)試電組件的方法和機(jī)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200580044419.6 | 申請(qǐng)日: | 2005-11-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101103426A | 公開(公告)日: | 2008-01-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | D·J·加西亞;金京英;L·洛曼 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 電子科學(xué)工業(yè)公司 |
| 主分類號(hào): | H01H31/02 | 分類號(hào): | H01H31/02 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 趙蓉民 |
| 地址: | 美國俄*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 重復(fù) 測(cè)試 組件 方法 機(jī)器 | ||
相關(guān)申請(qǐng)
【0001】本申請(qǐng)主張于2004年11月22日提交的冠名為“重復(fù)測(cè)試電組件的方法”(“Method?for?Repetitive?Testing?of?an?ElectricalComponent”)的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)序號(hào)第60/630,261號(hào)的優(yōu)先權(quán)權(quán)益,并將其作為參考整體并入本說明書中。2004年11月22日提交的冠名為“用于電接觸改進(jìn)的真空環(huán)設(shè)計(jì)”(“Vacuum?Ring?Designs?forElectrical?Contacting?Improvement”)的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)序號(hào)第60/630,253號(hào)也作為參考整體并入本說明書中。
技術(shù)領(lǐng)域
【0002】本公開主要涉及電子組件測(cè)試,更具體地,涉及對(duì)電容器的測(cè)試。
背景技術(shù)
【0003】電容器,其存儲(chǔ)電荷,是電子電路的基本構(gòu)建模塊之一。在其最基本的形式中,電容器包含兩個(gè)相互分開一小段距離的導(dǎo)電表面,其中,非導(dǎo)電電介質(zhì)材料位于導(dǎo)電表面之間。這種排列的電容C與KA/d成比例,其中K是中間材料的介電常數(shù),A是相對(duì)導(dǎo)電表面的面積,d是導(dǎo)電表面之間的距離。
【0004】圖1是多層電容器120的側(cè)面剖面等距視圖。電容器120具有兩個(gè)外部連接或電極124和128,它們分別示出于左側(cè)和右側(cè)。許多基本平行的導(dǎo)電片或板130連接至電極124。同樣地,許多基本平行的導(dǎo)電片或板140連接至電極128。導(dǎo)電板130和140如圖所示般地相互配合。導(dǎo)電板130和140之間是電介質(zhì)材料150。可選的外殼160可用于覆蓋在電極124和128之間的電容器120的外面。多層排列引起電容與互相配合的板的數(shù)量成比例地倍增。事實(shí)上,用于這種排列的電容的公式與nKA/d成比例,其中n是來自于每個(gè)電極的板的數(shù)量。
【0005】當(dāng)電介質(zhì)材料150是陶瓷時(shí),電容器120是多層陶瓷電容器(MLCC)。MLCC廣受歡迎,原因是陶瓷材料具有期望的高介電常數(shù)。陶瓷電介質(zhì)材料也可在薄層中制造,導(dǎo)致板間間距d很小,并且由此導(dǎo)致了增大的電容。通常通過混合陶瓷粉末和有機(jī)粘合劑來形成陶瓷電介質(zhì)材料,有機(jī)粘合劑作用如膏劑。當(dāng)陶瓷變硬時(shí),其將導(dǎo)電板130和140保持在適當(dāng)位置。
【0006】圖2A是諸如多層電容器120的電容器的等效電路模型200的示意圖。在模型120中,端210和220代表電極124和128。等效電路模型200包含電容C、并聯(lián)電阻RP、串聯(lián)電阻RS、和電感L。在理想電容器中,只會(huì)出現(xiàn)電容C。并聯(lián)電阻RP,串聯(lián)電阻RS,和電感L是由真實(shí)電容器中的不利的或非理想效應(yīng)引起的。例如,如果有一些泄漏電流流過電介質(zhì)材料150,則其由并聯(lián)電阻RP模擬。作為另一個(gè)實(shí)例,如果在電極124或128中有一些電阻,則其由串聯(lián)電阻RS模擬。電容器中所有電阻的組合效應(yīng)由等效串聯(lián)電阻(ESR)共同模擬,如圖2B中所示,圖2B是電容器的簡化等效電路模型250。
【0007】許多參數(shù)表征電容的特性。其中,主要參數(shù)當(dāng)然是電容C。其它參數(shù)包括ESR和等效電路模型200中的其它元件的值。其它有效指定其在交流電流(AC)電路中的表現(xiàn)的電容器參數(shù)包括損耗角、相位角、功率因數(shù)、和耗散因數(shù),所有這些都是當(dāng)AC信號(hào)施加于其電極上時(shí)電容器中的損耗的度量。它們?cè)跀?shù)學(xué)上是相關(guān)的,表示如下:
PF=cos(φ)=sin(δ)
DF=tan(δ)
φ+δ=π/2
其中,PF是功率因數(shù),DF是耗散因數(shù),φ是相位角,而δ是相量表示的損耗角。耗散因數(shù)可以用給定AC頻率下的ESR表示如下:
DF=ESR/XC
其中XC是給定頻率的電容器的電抗。
【0008】電容器制造商通常以參數(shù)說明他們的電容器,諸如電容C和耗散因數(shù)DF。制造商通常在發(fā)售電容器之前測(cè)試他們的電容器以確保它們落入可接受的范圍內(nèi)。例如,如果一個(gè)電容器具有過大的耗散因數(shù),則它會(huì)被拒絕。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于電子科學(xué)工業(yè)公司,未經(jīng)電子科學(xué)工業(yè)公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200580044419.6/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:主機(jī)裝置、便攜式存儲(chǔ)裝置以及用于更新關(guān)于存儲(chǔ)在便攜式存儲(chǔ)裝置中的版權(quán)對(duì)象的元信息的方法
- 下一篇:用于處理接收到的包的方法及接收器
- 同類專利
- 專利分類
H01H 電開關(guān);繼電器;選擇器;緊急保護(hù)裝置
H01H31-00 無滅弧或防弧裝置的高壓空氣斷路器
H01H31-02 .零部件
H01H31-14 .帶有橋式觸點(diǎn)的,該橋式觸點(diǎn)在開關(guān)開斷位置時(shí)與任一線路觸點(diǎn)電氣上不相通的
H01H31-26 .帶有可動(dòng)觸點(diǎn)的,該觸點(diǎn)在開關(guān)開斷位置時(shí)仍與一條線路電氣相通的
H01H31-34 .帶有適用于嚙合架空線路的可動(dòng)觸點(diǎn)的,如用于嚙合分支線路的
H01H31-36 ..由導(dǎo)電弓架移動(dòng)的觸點(diǎn)
- 軟件測(cè)試系統(tǒng)及測(cè)試方法
- 自動(dòng)化測(cè)試方法和裝置
- 一種應(yīng)用于視頻點(diǎn)播系統(tǒng)的測(cè)試裝置及測(cè)試方法
- Android設(shè)備的測(cè)試方法及系統(tǒng)
- 一種工廠測(cè)試方法、系統(tǒng)、測(cè)試終端及被測(cè)試終端
- 一種軟件測(cè)試的方法、裝置及電子設(shè)備
- 測(cè)試方法、測(cè)試裝置、測(cè)試設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)
- 測(cè)試裝置及測(cè)試系統(tǒng)
- 測(cè)試方法及測(cè)試系統(tǒng)
- 一種數(shù)控切削指令運(yùn)行軟件測(cè)試系統(tǒng)及方法
- 一種數(shù)據(jù)庫讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





