[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200580043444.2
• 申請日: 2005-03-11
• 公開（公告）號: CN101080814A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: 太田宗吾
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/28;H01L27/088;H01L29/417
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 王英

1、一種半導體器件，包括其上形成有硅化物層的第一晶體管和其上沒有形成硅化物層的第二晶體管，其中，

該第一晶體管和該第二晶體管中的每一個包括：

形成在半導體襯底的主表面上的柵極絕緣膜上的柵電極；

形成在該柵電極的兩個側面壁上的側壁；以及

形成在所述半導體襯底的所述主表面中的源極擴散層和漏極擴散層，并且

在所述第一晶體管中，

每個所述側壁的厚度薄于所述第二晶體管的每個所述側壁的厚度，

所述源極擴散層和所述漏極擴散層中的每一個具有低濃度雜質擴散層和高濃度雜質擴散層，該高濃度雜質擴散層形成在該低濃度雜質擴散層的內部，并具有高于該低濃度雜質擴散層的雜質濃度的雜質濃度，

當從所述半導體襯底的主表面方向觀察時，所述高濃度雜質擴散層的表面和每個所述側壁的底部處在彼此重疊的位置，并且

僅在所述高濃度雜質擴散層中形成所述硅化物層。

2、根據權利要求1所述的半導體器件，其中在所述第二晶體管中的所述源極擴散層和所述漏極擴散層僅由所述低濃度雜質擴散層形成。

3、根據權利要求1所述的半導體器件，其中在所述第二晶體管中的所述源極擴散層和所述漏極擴散層由所述低濃度雜質擴散層和所述高濃度雜質擴散層形成。

4、一種包括其上形成有硅化物層的第一晶體管和其上沒有形成硅化物層的第二晶體管的半導體器件的制造方法，該方法包括以下步驟：

在半導體襯底的主表面上的柵極絕緣膜上形成所述第一晶體管和所述第二晶體管中的每一個的柵電極；

通過使用該柵電極作為掩膜在所述半導體襯底的所述主表面中形成所述第一晶體管和所述第二晶體管中的每一個的低濃度雜質擴散層；

在所述柵電極的側面壁上形成所述第一晶體管和所述第二晶體管中的每一個的側壁；

形成覆蓋所述半導體襯底的整個表面的絕緣膜；

對所述絕緣膜進行選擇性蝕刻處理，執行該選擇性蝕刻處理，從而除去覆蓋所述第一晶體管的所述絕緣膜，并且保留覆蓋所述第一晶體管的所述絕緣膜；

在所述第一晶體管中，通過使用所述柵電極和所述側壁作為掩膜在所述低濃度雜質擴散層的內部形成高濃度雜質擴散層，每個所述高濃度雜質擴散層具有高于每個所述低濃度雜質擴散層的雜質濃度的雜質濃度；

在所述半導體襯底的所述主表面上形成覆蓋所述第一晶體管和所述第二晶體管的金屬膜，并且通過將該金屬膜與所述半導體襯底反應來形成硅化物；并且

通過選擇性除去未反應的金屬膜形成具有僅形成在所述第一晶體管的所述高濃度雜質擴散層中的硅化物的硅化物層。

5、根據權利要求4所述的半導體器件的制造方法，進一步包括在形成所述絕緣膜的步驟之前通過利用所述第二晶體管中的所述柵電極和所述側壁作為掩膜在所述低濃度雜質擴散層內部形成高濃度雜質擴散層的步驟，其中每個所述高濃度雜質擴散層具有高于每個所述低濃度雜質擴散層的雜質濃度的雜質濃度。

6、根據權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其中對所述絕緣膜所進行的蝕刻處理是濕法蝕刻。

7、根據權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其中所述金屬膜是從鈦、鈷和鎳構成的組中選擇的一種。