[發明專利]無接點晶圓級老化無效
| 申請號: | 200580042001.1 | 申請日: | 2005-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN101160533A | 公開(公告)日: | 2008-04-09 |
| 發明(設計)人: | 陳健 | 申請(專利權)人: | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/28 | 分類號: | G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 劉國偉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接點 晶圓級 老化 | ||
1.一種用于執行晶圓級測試序列的方法,其包含:
將所述晶圓提供到測試腔室中;和
經由無線信號將功率和測試起始信號輸出到晶圓。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述測試為老化測試。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述提供步驟包括將多個晶圓提供到所述測試腔室中,且所述輸出步驟包括輸出到所述多個晶圓。
4.根據權利要求1所述的方法,其中所述輸出步驟包括輸出對所述晶圓起始裝置應力測試序列的信號。
5.根據權利要求1所述的方法,其中所述信號為測試啟用信號。
6.根據權利要求4所述的方法,其中所述輸出步驟包括對所述測試起始信號進行編碼。
7.根據權利要求4所述的方法,其中所述信號包括將電壓提供到所述晶圓上的特定元件的指令。
8.根據權利要求1所述的方法,其中所述輸出步驟包含在所述腔室中產生RF信號。
9.根據權利要求1所述的方法,其中所述方法進一步包括在所述腔室中對所述晶圓進行加熱。
10.根據權利要求1所述的方法,其中所述方法進一步包括在所述晶圓上提供內建老化測試電路,所述內建老化測試電路耦合到提供在所述晶圓上的裝置。
11.一種用于提供內建測試工藝的方法,其包含:
在晶圓上提供內建測試電路;和
在所述晶圓上提供RF接口,所述RF接口耦合到所述內建測試電路。
12.根據權利要求11所述的方法,其中所述在所述晶圓上提供內建測試電路的步驟包括提供功率提取組件和解調器。
13.根據權利要求12所述的方法,其中所述功率提取器是全波整流器。
14.根據權利要求12所述的方法,其中所述解調器包括與所述內建測試電路的接口以向所述內建測試電路提供控制信號。
15.根據權利要求14所述的方法,其中所述解調器提供啟用控制信號。
16.根據權利要求14所述的方法,其中所述解調器對經編碼的啟用控制信號進行解碼。
17.根據權利要求11所述的方法,其中所述提供內建測試電路的步驟包括在所述晶圓的測試電路區域中提供至少一個BIST電路。
18.根據權利要求11所述的方法,其中所述提供內建測試電路的步驟包括在所述晶圓的晶粒區域中提供至少一個BIST電路。
19.根據權利要求11所述的方法,其中所述提供內建測試電路的步驟包括在所述晶圓的晶粒電路區域內經受老化的裝置中提供至少一個BIST電路。
20.根據權利要求11所述的方法,其中所述方法進一步包括響應于提供到所述RF接口的信號而對所述晶圓上至少一個裝置實施老化自測試的步驟。
21.根據權利要求20所述的方法,其中所述實施老化自測試的步驟包括在至少第一組電壓條件下使裝置的元件承受應力。
22.根據權利要求21所述的方法,其中所述實施老化自測試的步驟包括在至少第二組電壓條件下使所述元件承受應力。
23.根據權利要求11所述的方法,其進一步包括在所述晶圓上提供至少一個天線的步驟。
24.根據權利要求23所述的方法,其進一步包括在所述晶圓上提供多個天線的步驟。
25.根據權利要求23所述的方法,其中所述在所述晶圓上提供多個天線的步驟包括為制造于所述晶圓上的晶粒中的每一半導體裝置提供至少一個天線。
26.一種半導體晶圓,其包含:
至少一個內建測試控制電路,其耦合到所述晶圓上的裝置;和
RF接口,其經耦合以向所述BIST電路提供功率和數據信號。
27.根據權利要求26所述的設備,其中多個裝置提供在所述晶圓中,且其中為所述晶圓上的每一裝置提供內建測試控制電路。
28.根據權利要求27所述的設備,其中每一測試控制電路均并入到所述裝置中。
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