[發(fā)明專利]非易失性存儲(chǔ)器擦除作業(yè)中的字線補(bǔ)償

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200580041995.5
• 申請(qǐng)日: 2005-12-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101095198A
• 公開(kāi)（公告）日: 2007-12-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萬(wàn)鈞;杰弗里·W·路特斯;龐產(chǎn)綏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 桑迪士克股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/16
• 分類號(hào): G11C16/16;G11C16/04;G11C16/34
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 劉國(guó)偉

1、一種擦除非易失性存儲(chǔ)器的方法，其包括：

將至少一個(gè)補(bǔ)償電壓施加至非易失性存儲(chǔ)元件串的一部分以至少部分地補(bǔ)償從所述串的至少一個(gè)晶體管耦合至所述串的一個(gè)或一個(gè)以上非易失性存儲(chǔ)元件的電壓；及

從所述串的非易失性存儲(chǔ)元件的至少一子集的浮柵轉(zhuǎn)移電荷，同時(shí)施加所述至少一個(gè)補(bǔ)償電壓以便擦除所述非易失性存儲(chǔ)元件串。

2、如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述施加至少一個(gè)補(bǔ)償電壓的步驟包括：

將第一電壓施加至所述串的第一非易失性存儲(chǔ)元件的控制柵；及

將第二電壓施加至所述串的第二非易失性存儲(chǔ)元件的控制柵。

3、如權(quán)利要求2所述的方法，其中：

所述方法進(jìn)一步包括將擦除電壓施加至所述非易失性存儲(chǔ)元件串的阱；及

所述轉(zhuǎn)移電荷的步驟包含將電荷從所述第一非易失性存儲(chǔ)元件的浮柵及所述第二非易失性存儲(chǔ)元件的浮柵轉(zhuǎn)移至所述阱。

4、如權(quán)利要求3所述的方法，其中：

所述施加所述擦除電壓的步驟導(dǎo)致第一電位存在于所述第一非易失性存儲(chǔ)元件的所述浮柵與所述阱之間，且導(dǎo)致第二電位存在于所述第二非易失性存儲(chǔ)元件的所述浮柵與所述阱之間。

5、如權(quán)利要求4所述的方法，其中：

所述施加第一電壓及施加第二電壓的步驟導(dǎo)致所述第一電位與所述第二電位相等。

6、如權(quán)利要求2所述的方法，其中：

所述至少一個(gè)晶體管包含所述串的選擇柵；

所述第一非易失性存儲(chǔ)元件毗鄰于所述選擇柵；

所述第二非易失性存儲(chǔ)元件為所述串的內(nèi)部存儲(chǔ)元件；及

所述第一電壓小于所述第二電壓。

7、如權(quán)利要求6所述的方法，其中：

所述第一電壓為負(fù)；及

所述第二電壓大于或等于零。

8、如權(quán)利要求6所述的方法，其中：

所述第一電壓小于或等于零；及

所述第二電壓為正。

9、如權(quán)利要求6所述的方法，其中：

所述施加所述第一電壓的步驟至少部分地補(bǔ)償從所述選擇柵耦合至所述第一非易失性存儲(chǔ)元件的浮柵的耦合電壓。

10、如權(quán)利要求9所述的方法，其中：

所述施加所述第一電壓的步驟將所述第一電壓的一部分耦合至所述第一非易失性存儲(chǔ)元件的所述浮柵，所述第一電壓的所述部分與所述耦合至所述第一非易失性存儲(chǔ)元件的所述浮柵的耦合電壓在量值上相等而在極性上相反。

11、如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述將所述第二電壓施加至所述第二非易失性存儲(chǔ)元件的所述控制柵的步驟至少部分地補(bǔ)償從所述選擇柵耦合至所述第一非易失性存儲(chǔ)元件的浮柵的耦合電壓。

12、如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述施加所述第二電壓的步驟將所述第二電壓的一部分耦合至所述第二非易失性存儲(chǔ)元件的浮柵，所述第二電壓的所述部分與所述耦合至所述第一非易失性存儲(chǔ)元件的所述浮柵的耦合電壓在量值上相等且在極性上相同。

13、如權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述至少一個(gè)補(bǔ)償電壓為第一補(bǔ)償電壓；

所述部分為第一非易失性存儲(chǔ)元件的控制柵；

所述一個(gè)或一個(gè)以上非易失性存儲(chǔ)元件包含所述第一非易失性存儲(chǔ)元件；及

所述方法進(jìn)一步包括將至少一個(gè)不同的補(bǔ)償電壓施加至所述串的每一剩余非易失性存儲(chǔ)元件的控制柵以至少部分地補(bǔ)償從至少一個(gè)相鄰晶體管耦合至所述每一剩余非易失性存儲(chǔ)元件的電壓。

14、如權(quán)利要求13所述的方法，其中：

所述至少一個(gè)不同的補(bǔ)償電壓包含用于所述剩余非易失性存儲(chǔ)元件中至少兩個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件的不同量值。

15、如權(quán)利要求13所述的方法，其中：

所述施加所述至少一個(gè)不同的補(bǔ)償電壓的步驟包含：針對(duì)所述每一剩余非易失性存儲(chǔ)元件，根據(jù)與參考非易失性存儲(chǔ)元件相比的所述每一剩余非易失性存儲(chǔ)元件的擦除行為，選擇所述第二補(bǔ)償電壓的量值及極性。

16、如權(quán)利要求15所述的方法，其中：

所述參考非易失性存儲(chǔ)元件為所述串中的所選擇非易失性存儲(chǔ)元件。