[發(fā)明專利]在CMOS技術(shù)中形成自對準(zhǔn)雙重硅化物的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200580041392.5
• 申請日: 2005-12-01
• 公開（公告）號: CN101069281A
• 公開（公告）日: 2007-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小希里爾·卡布萊爾;切斯特·T.·齊奧波科夫斯基;約漢·J.·愛麗斯－莫納甘;方隼飛;克里斯蒂安·拉沃伊;駱志炯;詹姆斯·S.·納考斯;安·L.·斯廷根;克萊門特·H.·萬
• 申請（專利權(quán)）人: 國際商業(yè)機(jī)器公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/3205;H01L21/4763;H01L21/44
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 杜娟

1.一種制造互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS器件的方法，所述方 法包括以下步驟：

在半導(dǎo)體襯底(102)中形成用于容納第一類型半導(dǎo)體器件(130) 的第一阱區(qū)(103)；

在所述半導(dǎo)體襯底(102)中形成用于容納第二類型半導(dǎo)體器件 (140)的第二阱區(qū)(104)；

用掩模(114)屏蔽所述第一類型半導(dǎo)體器件(130)；

在所述第一和第二類型半導(dǎo)體器件(130、140)上淀積第一金屬 層(118)；

在所述第二類型半導(dǎo)體器件(140)上形成第一自對準(zhǔn)硅化物；

去除所述掩模(114)；

在第一和第二類型半導(dǎo)體器件(130、140)上淀積第二金屬層 (123)；和

在所述第一類型半導(dǎo)體器件(130)上形成第二自對準(zhǔn)硅化物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括從所述第二類型半導(dǎo)體器 件(140)去除所述第二金屬層(123)的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一阱區(qū)(103)被構(gòu) 成為NFET即N型場效應(yīng)晶體管阱區(qū)，所述第二阱區(qū)(104)被構(gòu)成 為PFET即P型場效應(yīng)晶體管阱區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一阱區(qū)(103)被構(gòu) 成為PFET即P型場效應(yīng)晶體管阱區(qū)，所述第二阱區(qū)(104)被構(gòu)成 為NFET即N型場效應(yīng)晶體管阱區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一金屬層(118)由 不同于所述第二金屬層(123)的材料形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一類型半導(dǎo)體器件 (130)是通過以下步驟形成的：

在所述第一阱區(qū)(103)上構(gòu)成絕緣層(112)；

在所述絕緣層(112)上構(gòu)成柵區(qū)(114)；

在所述柵區(qū)(114)的相對側(cè)上形成絕緣間隔物(111)；和

在所述第一阱區(qū)(103)中注入源/漏區(qū)(129)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二類型半導(dǎo)體器件 (140)是通過以下步驟形成的：

在所述第二阱區(qū)(104)上構(gòu)成絕緣層(107)；

在所述絕緣層(107)上構(gòu)成柵區(qū)(108)；

在所述柵區(qū)(108)的相對側(cè)上形成絕緣間隔物(109)；和

在所述第二阱區(qū)(104)中注入源/漏區(qū)(128)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述第一金屬層(118) 和所述第二金屬層(123)中的每一個上形成覆蓋層的步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述覆蓋層包括TiN、Ti 和TaN中的任何一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一金屬層(118)和 所述第二金屬層(123)包括Ti、Co、Ni、Pt、Re、W、Pd、Ta、Nb 及其合金中的任何一種。

11.一種在半導(dǎo)體襯底上形成集成電路的方法，所述方法包括以 下步驟：

在所述半導(dǎo)體襯底(102)上形成第一和第二類型半導(dǎo)體器件(130、 140)中的每一個；

在所述第一和第二類型半導(dǎo)體器件(130、140)上淀積第一金屬 層(118)；

只在所述第二類型半導(dǎo)體器件(140)上形成第一自對準(zhǔn)硅化物；

在所述第一和第二類型半導(dǎo)體器件(130、140)上淀積第二金屬 層(123)；和

只在所述第一類型半導(dǎo)體器件(130)上形成第二自對準(zhǔn)硅化物。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括在淀積所述第一金屬層 (118)之前用掩模(114)屏蔽所述第一類型半導(dǎo)體器件(130)的步 驟。