[發(fā)明專利]氮化鎵化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200580041110.1
• 申請(qǐng)日: 2005-10-21
• 公開（公告）號(hào): CN101084583A
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李鐘覽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 首爾OPTO儀器股份有限公司;浦項(xiàng)工科大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 壽寧

1、一種發(fā)光元件，包括：

金屬支撐層；

P型反射膜電極，處于所述金屬支撐層上；

P型半導(dǎo)體層、作用層和N型半導(dǎo)體層，依次形成在所述P型反射膜電極上；

N型電極，形成在所述N型半導(dǎo)體層上；

絕緣膜，至少形成在所述N型半導(dǎo)體層的側(cè)面上；以及

金屬保護(hù)層，用于保護(hù)所述P型半導(dǎo)體層和所述N型半導(dǎo)體層。

2、一種發(fā)光元件，包括：

金屬支撐層；

反射層，形成在所述金屬支撐層上；

P型反射膜電極，以網(wǎng)格形式形成在所述反射層上；

P型半導(dǎo)體層、作用層和N型半導(dǎo)體層，依次形成在包含所述P型反射膜電極的所述反射層之上；

N型電極，形成在所述N型半導(dǎo)體層的所需區(qū)域處；

絕緣膜，至少形成在所述N型半導(dǎo)體層的側(cè)面上；以及

金屬保護(hù)層，用于保護(hù)所述P型半導(dǎo)體層和所述N型半導(dǎo)體層。

3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光元件，其中所述金屬支撐層具有多層支撐結(jié)構(gòu)。

4、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光元件，進(jìn)一步包括保護(hù)層，所述保護(hù)層形成在所述N型半導(dǎo)體層、所述作用層和所述P型半導(dǎo)體層的側(cè)面和/或底面的一部分上。

5、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光元件，進(jìn)一步包括抗反射層，所述抗反射層覆蓋在所述P型半導(dǎo)體層、所述作用層和所述N型半導(dǎo)體層周圍。

6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中所述P型反射膜電極包括接觸金屬層、反射金屬層、擴(kuò)散阻障層和接合金屬層。

7、一種發(fā)光元件，包括：

P型半導(dǎo)體層；

作用層和N型半導(dǎo)體層，形成在所述P型半導(dǎo)體層上；

N型電極，形成在所述N型半導(dǎo)體層上；

絕緣膜，至少形成在所述N型半導(dǎo)體層的側(cè)面上；以及

金屬保護(hù)層，用于保護(hù)所述P型半導(dǎo)體層和所述N型半導(dǎo)體層。

8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件，其中所述金屬保護(hù)層形成在所述P型半導(dǎo)體層和所述N型半導(dǎo)體層的側(cè)面上和所述P型半導(dǎo)體層的底面上。

9、根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件，進(jìn)一步包括絕緣層，所述絕緣層形成在所述P型半導(dǎo)體層的底面的一部分上。

10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光元件，其中所述絕緣層延伸到所述作用層的側(cè)面。

11、根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件，進(jìn)一步包括抗反射層，所述抗反射層形成在所述N型半導(dǎo)體層上。

12、根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件，進(jìn)一步包括P型電極，所述P型電極形成在所述P型半導(dǎo)體層之下。

13、根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光元件，其中所述P型電極包含接觸金屬層、反射金屬層、擴(kuò)散阻障層和接合金屬層。

14、一種制造發(fā)光元件的方法，包括：

在襯底上依次形成N型半導(dǎo)體層、作用層和P型半導(dǎo)體層；

通過(guò)部分蝕刻所述P型半導(dǎo)體層、所述作用層、所述N型半導(dǎo)體層和所述襯底而隔離元件；

在隔離的所述P型半導(dǎo)體層上形成P型反射膜電極，且在整個(gè)結(jié)構(gòu)上形成第一金屬支撐層；

移除所述襯底；以及

在所述N型半導(dǎo)體層上形成N型電極；

其中，所述第一金屬支撐層是通過(guò)電鍍方法或使用真空氣相沉積裝置而形成的，所述真空氣相沉積裝置包括熱蒸發(fā)器、電子束蒸發(fā)器、激光蒸發(fā)器、濺鍍器和有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積裝置。

15、根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造發(fā)光元件的方法，其中在所述第一金屬支撐層上進(jìn)一步形成隔離的第二金屬支撐層，且所述第二金屬支撐層是通過(guò)電鍍方法或使用真空氣相沉積裝置而形成的，所述真空氣相沉積裝置包括熱蒸發(fā)器、電子束蒸發(fā)器、激光蒸發(fā)器、濺鍍器和有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積裝置。

16、一種制造發(fā)光元件的方法，包括：

在襯底上依次形成N型半導(dǎo)體層、作用層、P型半導(dǎo)體層、P型反射膜電極和第一金屬支撐層；

移除所述襯底；

通過(guò)部分蝕刻所述P型半導(dǎo)體層、所述作用層和所述N型半導(dǎo)體層而隔離元件；以及

在所述N型半導(dǎo)體層上形成N型電極。