[發明專利]氣體阻擋性層疊薄膜

有效

• 申請號: 200580040598.6
• 申請日: 2005-09-27
• 公開（公告）號: CN101065240A
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發明（設計）人: 鈴木浩;松尾龍吉;佐佐木昇
• 申請（專利權）人: 凸版印刷株式會社
• 主分類號: B32B9/00
• 分類號: B32B9/00;B32B27/36;B32B27/30
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 陳建全

1.一種氣體阻擋性層疊薄膜，其具有高分子薄膜基材、在該高分 子薄膜基材的一個面上直接形成的具有5nm～300nm的膜厚的氣體阻 擋性無機蒸鍍層、以及在該氣體阻擋性無機蒸鍍層上形成的氣體阻擋 性被覆層；其特征在于具有下述的氧氣阻擋性：將所述層疊薄膜伸長 了5％時的氧氣透過率是伸長前的氧氣透過率的1.5倍以下。

2.如權利要求1所述的氣體阻擋性層疊薄膜，其具有下述的水蒸 氣阻擋性：將所述層疊薄膜伸長了2％時的水蒸氣透過率是伸長前的 水蒸氣透過率的1.5倍以下。

3.如權利要求1所述的氣體阻擋性層疊薄膜，其中，所述高分子 薄膜基材是聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。

4.如權利要求1所述的氣體阻擋性層疊薄膜，其中，所述氣體阻 擋性被覆層以具有羥基的水性高分子為主成分。

5.如權利要求4所述的氣體阻擋性層疊薄膜，其中，所述水性高 分子包含選自聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物以及纖維素中的至少1 種。

6.如權利要求1所述的氣體阻擋性層疊薄膜，其中，所述氣體阻 擋性被覆層以由金屬烷氧化物和/或其水解物、和具有羥基的水性高分 子構成的復合物質為主成分。

7.如權利要求1所述的氣體阻擋性層疊薄膜，其中，所述氣體阻 擋性被覆層以由硅烷氧化物和/或其水解物、和具有羥基的水性高分子 構成的復合物質為主成分。

8.如權利要求6所述的氣體阻擋性層疊薄膜，其中，所述氣體阻 擋性被覆層進一步包含硅烷偶聯劑。