[發(fā)明專利]在離子阱中高Q脈沖碎裂有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580038639.8 | 申請日: | 2005-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN101061564A | 公開(公告)日: | 2007-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 杰·C·施瓦茲 | 申請(專利權(quán))人: | 塞莫費尼根股份有限公司 |
| 主分類號: | H01J49/42 | 分類號: | H01J49/42 |
| 代理公司: | 北京安信方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 霍育棟;顏濤 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 離子 中高 脈沖 碎裂 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明通常涉及質(zhì)譜分析法,并且更具體地涉及用于多級(MS/MS)質(zhì)譜法的離子阱的利用。?
背景技術(shù)
離子阱的一個功能是用于多級質(zhì)譜分析的能力,其通常被稱為MS/MS或MSn。MS/MS通常包括關(guān)心的離子或幾個離子的碎裂以便獲得與有關(guān)離子結(jié)構(gòu)的詳細(xì)信息。當(dāng)在離子阱中執(zhí)行MS/MS時,有各種方法來激活離子以便使得它們變成碎片。最有效并被廣泛利用的方法包括共振激發(fā)過程。這種方法利用了輔助交流電壓(AC),施加于離子阱的除了在主要的捕獲電壓之外,將該輔助交流電壓應(yīng)用到該離子阱。這種輔助電壓通常具備相對低的幅度(大概1伏特(V))以及大概數(shù)十毫秒次序的持續(xù)時間。選擇這種輔助電壓的頻率以匹配運動的離子頻率,其順次地由主要捕獲場幅度和離子的質(zhì)荷比(m/z)來確定。?
由于離子的運動的結(jié)果與外加電壓(applied?voltage)共振,離子從這個電壓承接能量,并且它的運動幅度增長。在理想的四極(quadrupole)場中,如果連續(xù)地施加諧振電壓,離子的幅度會隨時間線性地增長。離子的動能隨著離子幅度的平方增長,并且因此所發(fā)生的與中性氣體分子(或其他離子)的任何碰撞變得逐步高能。在這個過程期間的一些點上,所發(fā)生的碰撞沉積了充足的能量至離子的分子鍵中,以便引起那些鍵破裂,并且引起離子成為破碎。當(dāng)離子的幅度增長時,如果沒有沉積足夠的能量至分子鍵中,那么離子僅僅會打擊阱壁并被中和,或者離子會通過其中一個阱的孔離開阱。高效的MS/MS要求最小化這個損耗機(jī)制。?從而,影響離子幅度增長速率的參數(shù)以及所發(fā)生碰撞的能量在確定碎裂的總效率方面是很重要的。?
影響兩個過程的其中一個最重要的參數(shù)是這個共振過程發(fā)生的頻率。這個頻率基于馬丟(Mathieu)穩(wěn)定性參數(shù)Q,其值與主要RF捕獲電壓的幅度成正比并且與關(guān)心的離子的m/z成反比。四極場的操作理論確定:具備.908之上Q值的任何離子在離子阱中具有不穩(wěn)定的軌跡并被損失(或者通過從阱中射出或者通過表面上的碰撞)。從而,以任何給定的RF幅度,均具有一個m/z值,低于該值離子不會被捕獲。這個m/z值被稱為低質(zhì)量截止(LMCO)。因此,在激活過程(activation?process)期間所施加的RF捕獲電壓幅度的適當(dāng)選擇涉及對依賴于RF捕獲電壓幅度的兩個重要參數(shù)的考慮:第一個,離子運動的頻率,其順次確定碰撞的動能,以及;第二個,LMCO。?
由于需要一些最小的離子頻率用于碎裂,一般要求大約0.2或更大的Q值以獲得滿意的母離子的碎裂效率。以較高Q值的操作產(chǎn)生更加高能的碰撞,并且因此可以產(chǎn)生更高效的母離子的碎裂;然而,提高Q也會提高LMCO,妨礙更多較低質(zhì)量碎片被觀察到。因此,必須選擇一個折中的Q值,其足夠高以提供高效的碎裂,而最小化LMCO。舉例來說,商業(yè)上能夠獲得的離子阱系統(tǒng)設(shè)置缺省Q值為0.25。以Q=0.25操作意味著可觀察到的最低質(zhì)量碎片離子是母離子m/z的28%((.25/.908)*100=28%)。當(dāng)可以降低Q值以減少LMCO并允許較低質(zhì)量碎片(舉例來說,其在涉及肽(peptide)或蛋白質(zhì)結(jié)構(gòu)的鑒別的應(yīng)用中可能是合乎需要的)的檢測時,在Q方面的下降達(dá)到被減少碎裂效率的可能損耗。同樣地,可以從上述缺省值增加Q值以產(chǎn)生更高能的碰撞(舉例來說,其對于碎片大的、單荷的離子可能是需要的),但是在Q值方面的如此增加將會有不希望的提高LMCO的影響,該LMCO妨礙了較低質(zhì)量碎片的檢測。?
鑒于上述論述,需要一種用于離子阱的離子碎裂技術(shù),其避免了碎裂能量和現(xiàn)有技術(shù)共振激發(fā)過程中固有的LMCO之間的折衷。在用于離子碎裂技術(shù)的技術(shù)中有更進(jìn)一步的需要,其在相對于現(xiàn)有技術(shù)過程的一個較短時段中產(chǎn)生碎裂。?
發(fā)明內(nèi)容
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