[發明專利]在離子阱中高Q脈沖碎裂有效
| 申請號： | 200580038639.8 | 申請日： | 2005-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN101061564A | 公開（公告）日： | 2007-10-24 |
| 發明（設計）人： | 杰·C·施瓦茲 | 申請（專利權）人： | 塞莫費尼根股份有限公司 |
| 主分類號： | H01J49/42 | 分類號： | H01J49/42 |
| 代理公司： | 北京安信方達知識產權代理有限公司 | 代理人： | 霍育棟;顏濤 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 離子 中高 脈沖 碎裂 | ||
1.一種質譜儀，包含：
離子源，用于從樣本中產生離子；
離子光學系統，用于從該離子源傳輸離子到具備多個電極的離子 阱，該離子阱具備內部區域，離子被導入到該內部區域中；
RF捕獲電壓電源，用于施加具備第一幅度的RF捕獲電壓至該多 個電極中的一個或多個，以產生一個場，用于捕獲被導入該離子阱的至少 一部分離子；
共振激發電壓電源，施加共振激發電壓脈沖一個脈沖持續時間， 以引起已選離子組的至少一部分受到碰撞并被碎裂成離子碎片，該離子碎 片包括低質量離子碎片；以及
該RF捕獲電壓電源，被配置為在預定延遲周期之后足夠迅速地 降低RF捕獲電壓至第二幅度，該預定延遲周期跟隨著共振激發電壓脈沖 的終止，以便在脈沖持續時間或預定延遲周期產生的大部分低質量離子碎 片保持在該離子阱中用于稍后分析。
2.權利要求1中的質譜儀，其中當該RF捕獲電壓具有第一幅度時，用 于已選離子組的穩定性參數Q具有在0.4-0.89范圍內的第一值。
3.權利要求1中的質譜儀，其中當該RF捕獲電壓具有第二幅度時，用 于已選離子組的穩定性參數Q的第二值在0.015-0.2的范圍之內。
4.權利要求1中的質譜儀，其中該脈沖持續時間在0.25-1000μsec的 范圍內。
5.權利要求1中的質譜儀，其中該預定延遲周期為45-500μs。
6.權利要求1中的質譜儀，其中該離子阱為二維離子阱。
7.權利要求1中的質譜儀，進一步地包含隔離波形源，用于在該共振 激發電壓的施加之前施加隔離波形至該離子阱的至少一個電極，以從該離 子阱除去具備質荷比位于關心的質荷比之外的離子。
8.用于在質譜儀中碎裂離子的裝置，包含：
具有多個電極的離子阱，該離子阱具備內部區域，其中導入離子 到該內部區域中；
RF捕獲電壓電源，用于施加具備第一幅度的RF捕獲電壓至該多 個電極中的一個或多個，以產生用于捕獲被導入該離子阱的至少一部分離 子的場；
共振激發電壓電源，用于施加共振激發電壓脈沖一個脈沖持續時 間，以引起已選離子組中的至少一部分受到碰撞并被碎裂成離子碎片，該 離子碎片包括低質量離子碎片；以及
該RF捕獲電壓電源，被配置為在預定延遲周期之后足夠迅速地 降低RF捕獲電壓至第二幅度，該預定延遲周期跟隨著共振激發電壓脈沖 的終止，以便在脈沖持續時間或預定延遲周期產生的大部分低質量離子碎 片保持在該離子阱中用于稍后分析。
9.權利要求8中的裝置，其中當該RF捕獲電壓具有第一幅度時，用于 該已選離子組的穩定性參數Q具有在0.4-0.89范圍內的第一值。
10.權利要求8中的裝置，其中當該RF捕獲電壓具有第二幅度時，用于 該已選離子組的穩定性參數Q的第二值在0.015-0.2的范圍之內。
11.權利要求8中的裝置，其中該脈沖持續時間在0.25-1000μsec的 范圍之內。
12.權利要求8中的裝置，其中該預定延遲周期為45-500μs。
13.權利要求8中的裝置，其中該離子阱為二維離子阱。
14.權利要求8中的裝置，進一步地包含隔離波形源，用于在該共振激 發電壓的施加之前施加隔離波形至該離子阱的至少一個電極，以從該離子 阱除去具備質荷比位于關心的質荷比之外的離子。
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