[發(fā)明專利]熒光X射線分析裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580037929.0 | 申請日: | 2005-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN101052870A | 公開(公告)日: | 2007-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 的場吉毅;深井隆行;高橋正則;一宮豐 | 申請(專利權(quán))人: | 精工電子納米科技有限公司 |
| 主分類號: | G01N23/223 | 分類號: | G01N23/223 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 崔幼平 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熒光 射線 分析 裝置 | ||
1.一種熒光X射線分析裝置,由封入具有流動性的固體或液體試 樣的試樣封入容器、對上述試樣照射一次X射線的X射線源、以及檢 測從收到上述一次X射線后的試樣產(chǎn)生的熒光X射線的檢測器構(gòu)成, 根據(jù)上述檢測出的熒光X射線的頻譜來進行試樣的元素分析,其特征 是,
上述試樣封入容器具有由透射X射線的材質(zhì)構(gòu)成的多個壁面,配 置成一次X射線照射到上述多個壁面中的一個壁面上,并且上述多個 壁面中與被照射上述一次X射線的面不同的面與上述X射線檢測器對 置,而且,來自上述X射線源的一次X射線能夠照射與上述X射線檢 測器對置的上述試樣封入容器的壁面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光X射線分析裝置,其特征是,上述 X射線源或上述X射線檢測器的一方或雙方與上述試樣封入容器的面 緊密貼合地配置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光X射線分析裝置,其特征是,上述 試樣封入容器的多個壁面中的一個以上壁面是平面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光X射線分析裝置,其特征是,能夠 將上述試樣封入容器置換為試樣室,能夠在上述試樣室中直接設(shè)置測 定試樣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光X射線分析裝置,其特征是,具有 多個上述X射線檢測器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光X射線分析裝置,其特征是,具有 多個上述X射線源。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光X射線分析裝置,其特征是,在上 述X射線源與上述試樣封入容器之間插入僅選擇性地激勵注目元素的 一次濾光器,從而在用上述X射線檢測器看到的頻譜上提高了注目元 素的峰背比。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熒光X射線分析裝置,其特征是,在上 述X射線源與上述試樣室之間插入僅選擇性地激勵注目元素的一次濾 光器,從而在用上述X射線檢測器看到的頻譜上提高了注目元素的峰 背比。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光X射線分析裝置,其特征是,在試 樣封入容器的外側(cè)具有由產(chǎn)生最適于激勵注目元素的熒光X射線的元 素構(gòu)成的二次激勵用壁,從而在用上述X射線檢測器看到的頻譜上提 高了注目元素的峰背比。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熒光X射線分析裝置,其特征是,在試 樣室的外側(cè)具有由產(chǎn)生最適于激勵注目元素的熒光X射線的元素構(gòu)成 的二次激勵用壁,從而在用上述X射線檢測器看到的頻譜上提高了注 目元素的峰背比。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光X射線分析裝置,其特征是,在測 定試樣與上述X射線檢測器之間具有僅選擇性地使注目元素的熒光X 射線透射的二次濾光器,從而在用上述X射線檢測器看到的頻譜上提 高了注目元素的峰背比。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熒光X射線分析裝置,其特征是,在測 定試樣與上述X射線檢測器之間具有僅選擇性地使注目元素的熒光X 射線透射的二次濾光器,從而在用上述X射線檢測器看到的頻譜上提 高了注目元素的峰背比。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的熒光X射線分析裝置,其特征是,在具 有多個注目元素的情況下,上述一次濾光器具有多個分別相對于多個 注目元素選擇性地激勵的多個上述一次濾光器,并能夠切換上述一次 濾光器。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熒光X射線分析裝置,其特征是,在具 有多個注目元素的情況下,上述一次濾光器具有多個分別相對于多個 注目元素選擇性地激勵的多個上述一次濾光器,并能夠切換上述一次 濾光器。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的熒光X射線分析裝置,其特征是,在具 有多個注目元素的情況下,上述二次激勵用壁具有多個分別相對于多 個注目元素選擇性地激勵的多個上述二次激勵用壁,并能夠切換上述 二次激勵用壁。
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