[發明專利]襯底處理裝置

無效

• 申請號: 200580034403.7
• 申請日: 2005-05-23
• 公開（公告）號: CN101061574A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發明（設計）人: 木澤浩;古賀貴博;中務勝吉;小笠原和久;山口弘
• 申請（專利權）人: S.E.S.株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;G03F7/30;G03F7/42;H01L21/306
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司
• 代理人: 樓高潮

技術領域

本發明涉及用于處理半導體晶片、液晶顯示裝置用襯底、記錄磁盤用襯底、或掩膜用襯底、其他各種襯底的襯底處理裝置。

背景技術

在各種襯底的制造工程、例如半導體的制造工程中，附著在半導體晶片(以下稱為晶片)表面的污染物質的去除、或不需要的氧化膜、保護膜的剝離等，通過利用各種藥液進行的藥液處理及利用清洗液的清洗處理等進行。

這樣的處理，當在單一的處理槽中進行時，在處理槽內容納橫排設置的多個晶片，從處理槽的底部供給藥液及清洗液，使這些液體在槽內循環，實現通過藥液及清洗進行的處理。

然而，當被供給的藥液及清洗液在槽內出現滯流或湍流時，存在不能去除附著在晶片表面的污染物質等不需要的物資、且一度去除的不需要的物質又再次附著在晶片表面的問題。

因此，為了避免這樣的不利情況，已經開發防止在槽內處理液的滯流或湍流發生的襯底處理裝置，這樣的處理裝置正被廣泛使用，另外在專利文獻中也被廣為介紹(例如參照下述專利文獻1、2、3)。

圖9是表示一種已知的設置在襯底處理裝置中的處理槽的截面圖，圖10是說明圖9的襯底處理裝置的圖，圖10A是表示形成于處理槽內的流路的圖，圖10B是表示通過此襯底處理裝置進行處理的襯底的圖。

此處理槽20，如圖9、10所示，具備用于處理在處理液中以一定間隔、并立狀態浸漬的多個圓板形襯底W的四面用側壁包圍的內槽21，和設置在此內槽21的外周、收容從內槽21溢出的處理液的外槽(圖示省略)，及在內槽21內用于供給處理液的多個供給噴嘴管22a～22e。各供給噴嘴管22a～22e，其是由分別在筒狀體的側面上具有多個噴射口22a’～22e’的物件構成。

這些供給噴嘴管22a～22e，設置在內槽21的底部21a附近的中央部和其兩側面部及兩傾斜面21b附近，以橫截內槽21內的方式設置，從各供給噴嘴管22a～22e向被處理襯底W的中心噴射處理液，使處理液在內槽21內循環，實行被處理襯底W的表面處理。

另外，也有不將多個供給噴嘴管設置在處理槽的底部、而設置在側壁面上的襯底裝置(例如參照下述專利文獻1)。

圖11是表示記載在下述專利文獻1上的處理槽的截面圖。

此處理槽30，在處理槽的左上方、左下方、右上方及右下方設置了4個供給噴嘴管31a～31d，各供給噴嘴管具有分別通過閥32a～32d連接到處理液的供給源33a～33d的構成。

從各供給噴嘴管31a～31d供給的處理液，對于被處理的襯底W，分別向規定的方向進行供給。也就是說，從供給管31a向襯底W的左上方、從供給管31b向左下方、從供給管31c向右上方、及從供給管31d向右下方，分別以規定的順序進行供給。另外，在處理槽30的底部形成排液口，此排液口以介設閥34的方式，通過配管連接到排液處理部35。

還有，也有除了使處理液在處理槽內循環、而且還產生渦流，通過此渦流進行表面處理的襯底處理裝置(例如參照下述專利文獻2)。

圖12是表示記載在下述專利文獻2上的處理槽的截面圖。

此處理槽40，槽內壁面全部以螺旋形狀的凹凸形成，處理液的供給部設置在處理槽的底部區域，此供給部具有設置了沿著螺旋形狀決定處理液吐出方向的2個供給口41、42的結構。另外，在各供給口41、42的周邊，附加了控制處理液的吐出方向的整流翅片43、44。

而且，通過從各供給口41、42供給的處理液的吐出力，積極地使貯留槽內產生具有規定方向流向的處理液的渦流，實現被處理襯底的表面處理。

還有，也有代替在處理槽內產生渦流的方式，使襯底旋轉進行處理的襯底處理裝置(例如參照下述專利文獻3)。

專利文獻1：特開2001-274133號公報(圖3、段落[0029]、[0035]～[0038])

專利文獻2：特開2003-282512號公報(圖1、段落[0022]～[0025])

專利文獻3：特開2000-114233號公報(圖3、段落[0027]、[0028])

發明內容

發明預解決的問題

通過上述圖9及圖10所示的公知的處理槽20，由各供給噴嘴管22a～22e供給的處理液形成圖10A所示箭頭方向A～C的水流，進行被處理襯底W的表面處理。