[發明專利]襯底處理裝置無效
| 申請號: | 200580034403.7 | 申請日: | 2005-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN101061574A | 公開(公告)日: | 2007-10-24 |
| 發明(設計)人: | 木澤浩;古賀貴博;中務勝吉;小笠原和久;山口弘 | 申請(專利權)人: | S.E.S.株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;G03F7/30;G03F7/42;H01L21/306 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 | 代理人: | 樓高潮 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 處理 裝置 | ||
1、一種襯底處理裝置,具備四方用側壁包圍、上部開口的有底的容器組成的處理槽,和供給此處理槽處理液的第1、第2供給噴嘴管,其特征在于,
上述第1、第2供給噴嘴管,分別由中空筒狀體、長距離方向的側面按規定間隔排列成1列的具有多個噴射口的供給噴嘴管組成,其中第1供給噴嘴管,使其噴射口相對于水平方向以規定角度,向斜下方傾斜,第2供給噴嘴管,使其噴射口相對于水平方向以規定角度,向斜上方傾斜,在上述處理槽的一側壁面上以規定間隔分離,大致呈水平設置。
2、根據權利要求1所述的襯底處理裝置,其特征在于,
上述第1、第2供給噴嘴管,分別由多個供給噴嘴管構成,上述第1供給噴嘴管和第2供給噴嘴管以規定間隔分離,交叉地設置。
3、根據權利要求1所述的襯底處理裝置,其特征在于,
上述第1、第2供給噴嘴管,分別由多個供給噴嘴管構成,分別由多個供給噴嘴管構成,其中第1供給噴嘴管,以通過垂直設置在上述處理槽內的被處理襯底的中心部的水平線為界,位于該水平線的上方,第2供給噴嘴管位于該水平線的下方。
4、根據權利要求1所述的襯底處理裝置,其特征在于,
上述第1、第2供給噴嘴管,分別由多個供給噴嘴管構成,其中第1供給噴嘴管,以通過垂直設置在上述處理槽內的被處理襯底的中心部的水平線為界,位于該水平線的下方,第2供給噴嘴管位于該水平線的上方。
5、根據權利要求1所述的襯底處理裝置,其特征在于,
上述第1、第2供給噴嘴管,設置在上述處理槽的一側壁面的外側,排列在側面上的多個噴射口,與上述處理槽的內側連通。
6、根據權利要求1所述的襯底處理裝置,其特征在于,
在上述處理槽中,按照設置有上述第1、第2供給噴嘴管的側壁高、其以外的側壁低的方式形成內槽,在此內槽的外周,設置收容從上述內槽溢出的處理液的外槽。
7、根據權利要求6所述的襯底處理裝置,其特征在于,
在上述低側壁的上端面上,刻設多個切削槽。
8、根據權利要求1~7任意一項所述的襯底處理裝置,其特征在于,
上述處理槽,在其底壁的外壁面上安裝超音波發生器。
9、根據權利要求1~7任意一項所述的襯底處理裝置,其特征在于,
具有按照使上述第1、第2供給噴嘴管向上述處理槽,以規定時間間隔,交叉切換的進行處理液的供給的方式,進行控制的控制機構,通過上述的控制機構,使上述處理槽內產生相互不同方向的渦流,通過此渦流,進行襯底的表面處理。
10、根據權利要求8所述的襯底處理裝置,其特征在于,
具有按照使上述第1、第2供給噴嘴管向上述處理槽,以規定時間間隔,交叉切換的進行處理液的供給的方式進行控制,且控制上述超音波發生器的控制機構,通過上述控制機構,使上述處理槽內產生相互不同方向的渦流,通過適宜組合此渦流及從上述超音波發生器來的超音波,進行襯底的表面處理。
11、一種襯底處理裝置,具備周圍被側壁包圍、上部開口的有底容器組成的處理槽,和供給此處理槽處理液的第1、第2供給噴嘴管,其特征在于,
上述第1、第2供給噴嘴管,分別由中空筒狀體、長距離方向的側面上按規定間隔至少排列成1列的具有多個噴射口的供給噴嘴管組成,在上述處理槽的相對的各側壁面上以規定間隔分離,大致呈水平狀設置,此外,設置在一側壁面上的上述第1供給噴嘴管,使其噴射口相對于水平方向以規定角度,向斜下方傾斜,同樣地設置在一側壁面上的上述第2供給噴嘴管,使其噴射口相對于水平方向以規定角度,向斜上方傾斜,設置在相對的另一側壁面上的上述第1供給噴嘴管,使其噴射口相對于水平方向以規定角度,向斜上方傾斜,同樣地設置在相對的另一側壁面上的上述第2供給噴嘴管,使其噴射口相對于水平方向以規定角度,向斜下方傾斜地被設置。
12、根據權利要求11所述的襯底處理裝置,其特征在于,
上述第1、第2供給噴嘴管,分別由多個供給噴嘴管構成,上述第1供給噴嘴管和第2供給噴嘴管以規定間隔分離、交叉設置。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





