[發明專利]電化學器件無效
| 申請號： | 200580033751.2 | 申請日： | 2005-09-02 |
| 公開（公告）號： | CN101065328A | 公開（公告）日： | 2007-10-31 |
| 發明（設計）人： | P·A·克里斯滕森;N·G·賴特;T·A·埃杰頓 | 申請（專利權）人： | GEN－X動力公司 |
| 主分類號： | C02F1/467 | 分類號： | C02F1/467 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 | 代理人： | 林柏楠;劉金輝 |
| 地址： | 庫克群島（新*** | 國省代碼： | 庫克群島;CK |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電化學 器件 | ||
1.電化學器件，其包括：
(a)半導體層，其中該半導體是硅或碳化硅，且其中該層具有1至 1000微米的厚度；
(b)在所述半導體層上的TiO2層，且其中該層具有5納米至1微米 的厚度；
(c)在TiO2層上的惰性金屬柵，該柵排列為能夠施加跨越TiO2層的 電場；和
(d)在所述半導體層上的歐姆接觸。
2.權利要求1的器件，其中所述半導體層是硅。
3.權利要求1的器件，其中所述TiO2層包括堿土金屬氧化物MO， 其最多可達使得該層是MTiO3的量。
4.權利要求2的器件，其中所述TiO2層包括堿土金屬氧化物MO， 其最多可達使得該層是MTiO3的量。
5.權利要求1至4任一項的器件，其中所述半導體層具有500至600 微米的厚度。
6.權利要求3或4的器件，其中所述堿土金屬氧化物是SrO。
7.權利要求3或4的器件，其中相對于TiO2的摩爾量，TiO2層中 MO的量低于5％。
8.權利要求1或2的器件，其中在TiO2層中不存在MO。
9.權利要求1至4任一項的器件，其中TiO2層具有100至的厚 度。
10.權利要求1至4任一項的器件，其中所述金屬柵是由貴金屬制成 的。
11.權利要求1至4任一項的器件，其中所述金屬柵排列為能夠跨越 TiO2層施加均勻的電場。
12.在權利要求1至11任一項的器件的TiO2層表面生成OH自由基 的方法，包括：
(i)使該表面與含H2O的流體接觸；
(ii)跨越器件施加電場。
13.權利要求12的方法，其中跨越TiO2層施加的電壓足以降低對空 穴電流的能障，以使電流能夠流動。
14.權利要求13的方法，其中所述電壓為至少0.5伏。
15.權利要求12至14任一項的方法，其中所述OH自由基被用于受 污染流體的消毒或解毒。
16.權利要求15的方法，其中該流體被一種或多種選自由化學污染物、 細菌和病原體組成的組的組分污染。
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