[發明專利]具有無線接觸的光電子器件有效
| 申請號: | 200580033167.7 | 申請日: | 2005-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN101053087A | 公開(公告)日: | 2007-10-10 |
| 發明(設計)人: | E·K·M·古恩瑟;J·E·索格;N·斯塔思 | 申請(專利權)人: | 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 劉春元;魏軍 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 無線 接觸 光電子 器件 | ||
技術領域
本專利申請要求德國專利申請102004047680.2和102004050371.0的優先權,其公開內容就此通過反引用予以采納。
本發明涉及一種光電子器件,其在主輻射方向上發射輻射,具有半導體芯片,所述半導體芯片具有第一主面、第一接觸面和與第一主面相對的具有第二接觸面的第二主面,以及具有載體,所述載體具有兩個彼此絕緣的電接線區,其中半導體芯片利用第一主面固定在載體上和第一接觸面與第一接線區導電連接;本發明還涉及一種用于制造光電子器件的方法,所述光電子器件在主輻射方向上發射輻射,具有半導體芯片,所述半導體芯片具有第一主面、第一接觸面和與第一主面相對的具有第二接觸面的第二主面,以及具有載體,所述載體具有兩個彼此電絕緣的接線區;另外,本發明還涉及一種照明裝置。
背景技術
例如像發光二極管(LED)的所述類型的光電子器件一般具有兩個相對的接觸面,其中第一接觸面通常被安裝在導電承載上,例如被安裝在芯片外殼的配備有金屬化層的區域上。
通常半導體芯片的相對的第二接觸面的電接觸很難形成,因為該第二接觸面一般不與載體的所設置的第二接線區(Anschluβbereich)相鄰。這種第二接觸傳統上采用接合線來制造。為在接合線與用于接觸的芯片表面之間產生導電連接,芯片表面的區域被配備金屬層、所謂的接合焊盤(Bondpad)。但該金屬層的缺點是,所述金屬層在光學上是不透明的并由此在芯片中所產生的光的一部分被吸收。然而降低接合焊盤的面積在技術上只能有限做到并提高了制造耗費。
為減少光電子器件的為輻射耦合輸出所設置的表面的一部分的遮蔽問題,從JP09283801A中公知,使布置在半導體芯片的表面上的電極與由氧化銦錫(ITO)制成的導電透明層無線接觸。在此,半導體芯片的側面通過SiO2的絕緣層與導電透明層電絕緣。
從WO?98/12757中公知,將以常規方式與接合線接觸的光電子半導體芯片嵌入包含發光轉換材料的填料中,以便將由半導體芯片發射的輻射的至少一部分向更大的波長轉換。通過這種方式,例如可以利用發射藍或者紫外光的半導體芯片產生混合色光或者白光。
發明內容
本發明所基于的任務在于,提供一種具有無線接觸的改進的光電子器件,其中半導體芯片不受可能轉換所發射的輻射的波長的環境影響且制造耗費較低。此外應該提供一種用于制造這種光電子器件的有利方法。
該任務通過本發明的光電子器件和本發明的方法以及本發明的照明裝置得以解決。本發明的有利擴展和改進為從屬權利要求的主題。
在根據本發明的光電子器件中,所述光電子器件在主輻射方向上發射輻射,具有半導體芯片,所述半導體芯片具有第一主面、第一接觸面和與第一主面相對的具有第二接觸面的第二主面,以及具有載體,所述載體具有兩個彼此電絕緣的接線區,其中半導體芯片用第一主面固定在載體上和第一接觸面與第一接線區導電連接,半導體芯片和載體配備有透明的電絕緣封裝層。在此,在主輻射方向上發射的輻射通過封裝層被耦合輸出。此外,導電層從第二接觸面經由封裝層的部分區域通到載體的第二電接線區,該導電層將第二接觸面與第二接線區導電連接。
電絕緣的封裝層在根據本發明的光電子器件中有利地滿足多種功能。因為封裝層是電絕緣的,所以它防止通過所施加的導電層產生短路。這例如是這種情況,即半導體芯片的pn結通過在半導體芯片的側面上施加導電層而短路或者載體的兩個接線區通過導電層而相互連接。此外,封裝層保護半導體芯片不受環境影響,特別是防止污物和潮濕。
因為由光電子器件在主輻射方向上發射的輻射通過封裝層被耦合輸出,所以封裝層有利地也可以包括發光轉換材料,以便例如利用發射紫外或者藍輻射的半導體芯片產生白光。例如像YAG:Ce(Y3Al5O12:Ce3+)的適用的發光轉換材料由WO?98/12757公知,其內容為此通過反引用而被采納。在發光轉換的效率方面,如果封裝層直接與半導體芯片的為輻射耦合輸出所設置的表面鄰接,則是特別有利的。
優選地,光電子器件包含由III-V化合物半導體材料、特別是由氮化合物半導體材料制成的發射輻射的半導體芯片。
封裝層例如是塑料層。優選地,封裝層是硅樹脂層,因為硅樹脂的特征在于特別是對UV光的高耐輻射性。
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