[發(fā)明專利]具有無線接觸的光電子器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580033167.7 | 申請日: | 2005-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN101053087A | 公開(公告)日: | 2007-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | E·K·M·古恩瑟;J·E·索格;N·斯塔思 | 申請(專利權(quán))人: | 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 劉春元;魏軍 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 無線 接觸 光電子 器件 | ||
1.光電子器件,其在主輻射方向(13)上發(fā)射輻射,具有半導體芯片(1),所述半導體芯片具有第一主面(2)、第一接觸面(4)和與第一主面(2)相對的具有第二接觸面(6)的第二主面(5),以及具有載體(10),所述載體具有兩個彼此絕緣的電接線區(qū)(7、8),其中半導體芯片(1)利用第一主面(2)固定在載體(10)上和第一接觸面(4)與第一接線區(qū)(7)導電連接,其特征在于,
-半導體芯片(1)和載體(10)配備有透明的電絕緣封裝層(3),
-在主輻射方向(13)上所發(fā)射的輻射通過封裝層(3)耦合輸出,
-導電層(14)從第二接觸面(6)經(jīng)由封裝層(3)的部分區(qū)域通到載體(10)的第二電接線區(qū)(8),該導電層將第二接觸面(6)與第二接線區(qū)(8)導電連接。
2.按權(quán)利要求1所述的光電子器件,其特征在于,封裝層(3)包含發(fā)光轉(zhuǎn)換材料。
3.按權(quán)利要求1或2所述的光電子器件,其特征在于,封裝層(3)是塑料層。
4.按權(quán)利要求3所述的光電子器件,其特征在于,封裝層(3)包含硅樹脂。
5.按權(quán)利要求1或2所述的光電子器件,其特征在于,封裝層(3)是玻璃層。
6.按權(quán)利要求1或2所述的光電子器件,其特征在于,第一接觸面(4)布置在半導體芯片的第一主面(2)上,其中半導體芯片(1)利用第一接觸面(4)借助導電連接安裝在第一接線區(qū)(7)上。
7.按權(quán)利要求1或2所述的光電子器件,其特征在于,第一接觸面布置在半導體芯片(1)的第二主面(5)上,以及另一導電層從第一接觸面經(jīng)由封裝層(3)的部分區(qū)域通到載體(10)的第一電接線區(qū)(7),該另一導電層將第一接觸面與第一接線區(qū)(7)導電連接。
8.按權(quán)利要求1或2所述的光電子器件,其特征在于,導電層(14)是對所發(fā)射的輻射透明的層。
9.按權(quán)利要求8所述的光電子器件,其特征在于,導電層(14)包含透明的導電氧化物。
10.按權(quán)利要求1或2所述的光電子器件,其特征在于,導電層(14)是結(jié)構(gòu)化的金屬層。
11.按權(quán)利要求1或2所述的光電子器件,其特征在于,絕緣覆蓋層(15)施加在導電層(14)上。
12.按權(quán)利要求11所述的光電子器件,其特征在于,覆蓋層(15)是玻璃層。
13.按權(quán)利要求9所述的光電子器件,其特征在于,所述透明的導電氧化物是氧化銦錫。
14.用于制造光電子器件的方法,所述光電子器件在主輻射方向(13)上發(fā)射輻射,具有半導體芯片(1),所述半導體芯片具有第一主面(2)、第一接觸面(4)和與第一主面(2)相對的具有第二接觸面(6)的第二主面(5),以及具有載體(10),所述載體具有兩個彼此電絕緣的接線區(qū)(7、8),其特征在于方法步驟:
-將半導體芯片(1)利用第一主面(2)安裝在載體(10)上,
-將透明的電絕緣封裝層(3)施加在半導體芯片(1)和載體(10)上,
-在封裝層(3)中產(chǎn)生第一空隙(11)用于至少部分地露出半導體芯片(1)的第二接觸面(6)并在封裝層(3)中產(chǎn)生第二空隙(12)用于至少部分地露出載體(10)的第二接線區(qū)(8),
-施加導電層(14),該導電層將半導體芯片的第二接觸面(6)與載體(10)的第二接線區(qū)(8)導電連接。
15.按權(quán)利要求14所述的方法,其特征在于,封裝層(3)是塑料層。
16.按權(quán)利要求14或15所述的方法,其特征在于,封裝層(3)通過對薄膜層壓、加印、噴濺或者離心涂布施加。
17.按權(quán)利要求14所述的方法,其特征在于,封裝層(3)是玻璃層。
18.按權(quán)利要求17所述的方法,其特征在于,封裝層(3)的施加包括以下方法步驟:
-施加包含無機和有機成分的前驅(qū)層(9),
-第一溫度處理,用于從前驅(qū)層(9)去除有機成分,
-第二溫度處理,用于將前驅(qū)層(9)壓縮到玻璃層(3)中。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司,未經(jīng)奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200580033167.7/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:眼鏡架電子及電力裝置
- 下一篇:熱轉(zhuǎn)印片





