[發(fā)明專利]N型Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580030870.2 | 申請日： | 2005-09-13 |
| 公開（公告）號： | CN101019243A | 公開（公告）日： | 2007-08-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 武田仁志;三木久幸 | 申請（專利權(quán)）人： | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務(wù)所 | 代理人： | 楊曉光;李崢 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化物 半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu) | ||
【說明書】：
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