[發明專利]N型Ⅲ族氮化物半導體疊層結構有效
| 申請號： | 200580030870.2 | 申請日： | 2005-09-13 |
| 公開（公告）號： | CN101019243A | 公開（公告）日： | 2007-08-15 |
| 發明（設計）人： | 武田仁志;三木久幸 | 申請（專利權）人： | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 | 代理人： | 楊曉光;李崢 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 半導體 結構 | ||
【權利要求書】：
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