[發(fā)明專利]具有控制應(yīng)力的氮化硅膜無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200580024991.6 | 申請(qǐng)日： | 2005-07-05 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1989622A | 公開(kāi)（公告）日： | 2007-06-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 瑟亞納拉亞南·R·伊耶;安德魯·M·拉姆;前田佑二;湯姆斯·梅內(nèi);雅各布·W·史密斯;肖恩·M·索特;桑吉烏·坦登;蘭德希爾·P·辛格·撒庫(kù);森德拉奇·西魯帕普里尤 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 應(yīng)用材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/10 | 分類號(hào)： | H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 徐金國(guó);梁揮 |
| 地址： | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 控制 應(yīng)力 氮化 | ||
【說(shuō)明書(shū)】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
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