[發明專利]檢測電介質折射率變化的設備和方法無效
| 申請號: | 200580019079.1 | 申請日: | 2005-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN101069087A | 公開(公告)日: | 2007-11-07 |
| 發明(設計)人: | 博亞·賽普維達馬丁內茲;蓋斯波·阿邁勒斯瑞格;勞拉·M·萊楚格高邁茲;安娜·考勒馬丁 | 申請(專利權)人: | 高級科學研究理事機構 |
| 主分類號: | G01N21/55 | 分類號: | G01N21/55 |
| 代理公司: | 中國商標專利事務所有限公司 | 代理人: | 劉廣新 |
| 地址: | 西班牙*** | 國省代碼: | 西班牙;ES |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢測 電介質 折射率 變化 設備 方法 | ||
1.檢測電介質(200)折射率變化的設備,它包括:
至少一個金屬層(300),它被用來和電介質(200)保持接觸;
至少一個光源(20),它被用來將橫向磁化偏振光導向金屬層以便光線能照射到金屬層;
聯接工具(10),它被用來聯結光源(20)和金屬層(300);從而當光線落到金屬層的時候就能夠在金屬層表面激發表面等離子體振子共振;
至少一個探測器(31),用來接收金屬層的反射光,該探測器至少檢測出反射光的一個特性,所述反射光的特性包括旋度、橢圓度和/或強度;
金屬層包括鐵磁性材料;
特征在于設備還包含磁化元件(50)來磁化金屬層(300)。
2.根據權利要求1所述的設備,其特征在于磁化元件(50)被用來以極向結構磁化金屬層。
3.根據權利要求1所述的設備,其特征在于磁化元件(50)被用來以縱向結構磁化金屬層。
4.根據權利要求1所述的設備,其特征在于磁化元件(50)被用來以橫向結構磁化金屬層。
5.根據權利要求2-4的任何一項權利要求所述的設備,其特征在于磁化元件(50)能夠連續地改變金屬層(300)的磁化狀態。
6.根據權利要求1-4的任何一項權利要求所述的設備,其特征在于它包含電子數據處理器(41),此處理器被用來處理從探測器(31)傳來的輸出信號(32),而探測器(31)至少和反射光線的一個特性相對應,所述反射光的特性包括旋度、橢圓度和/或強度。
7.根據權利要求5所述的設備,其特征在于電子數據處理器(41)和磁化元件是同步的,從而反射光線的至少一個特性的變化就能夠和金屬層(300)的磁化狀態的變化進行同步分析,所述電子數據處理器(41)被用來處理從探測器(31)傳來的輸出信號(32),而探測器(31)至少和反射光線的一個特性相對應,所述反射光的特性包括旋度、橢圓度和/或強度。
8.根據權利要求2所述的設備,其特征在于探測器被設定為檢測,至少,反射光的旋度(r)和/或者橢圓度(e)的變化。
9.根據權利要求3所述的設備,其特征在于探測器被設定為至少檢測反射光的旋度(r)和/或者橢圓度(e)的變化。
10.根據權利要求7所述的設備,其特征在于探測器檢測出反射光線的強度(Rpp),電子數據處理器確定放射光線在兩個特殊的鐵磁層磁化狀態之間的差(ΔRpp)。
11.根據權利要求10所述的設備,其特征在于電子數據處理器被設定為計算反射光強差(ΔRpp)與反射光的基準強度(RppREF)的比值(δpp)。
12.根據權利要求1-4和7-10任意一項所述的設備,其特征在于它被設定為檢測電介質折射率(nd)的變化,所述檢測電介質折射率(nd)的變化是金屬層(300)上光入射角(θ)的函數。
13.根據權利要求1-4和7-10任意一項所述的設備,其特征在于它被設定為檢測電介質折射率(nd)的變化,所述檢測電介質折射率(nd)的變化是金屬層(300)上反射光波長的函數。
14.根據權利要求1-4和7-10任意一項所述的設備,其特征在于金屬層為鐵磁材料。
15.根據權利要求1-4和7-10中任意一項所述的設備,其特征在于金屬層為至少一種鐵磁材料和至少一種非鐵磁材料的合金。
16.根據權利要求1-4和7-10中任意一項所述的設備,其特征在于金屬層通過在金屬介質中內嵌磁性粒子成形加工。
17.根據權利要求1-4和7-10中任意一項所述的設備,其特征在于金屬層通過一套在電介質中內嵌含鐵磁材料的金屬粒子成形加工。
18.根據權利要求1-4和7-10任意一項所述的設備,其特征在于它包含多個金屬層,至少有一個是含有鐵磁材料的金屬層(300)。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于高級科學研究理事機構,未經高級科學研究理事機構許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200580019079.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





