[發明專利]基片支承系統和方法

無效

• 申請號: 200580015282.1
• 申請日: 2005-05-25
• 公開（公告）號: CN101426957A
• 公開（公告）日: 2009-05-06
• 發明（設計）人: P·K·尼曼卡雅拉;S·V·斯里尼瓦桑
• 申請（專利權）人: 得克薩斯州大學系統董事會
• 主分類號: C23F1/00
• 分類號: C23F1/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 沙永生

發明背景

本發明的領域一般涉及用于基片的支架。本發明更具體涉及適用于刻印平 板印刷(imprint?lithography)的卡盤。

微加工涉及非常小的結構(例如具有微米級或更小的特征的結構)的加工。 微加工中一個已具有相當大的影響的領域是集成電路制造。由于在基片上每單 位面積中所形成的電路數量持續增加的同時，半導體加工工業還一直在力圖獲 得更高的產率，微加工變得越來越重要。微加工提供更大程度的過程控制，同 時能夠更大程度地減小所形成結構的最小特征尺寸。已經開發采用微加工的其 他領域包括生物技術、光學技術、機械系統等。許多微加工技術包括各種工藝， 這些工藝包括沉積，例如化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積等；還包 括對圖案基片的濕蝕刻和/或干蝕刻技術。

除了標準微加工技術以外，還存在被稱為刻印平板印刷的較新穎而高效的 圖案形成技術。在大量公開出版物中詳細描述了示例性的刻印平板印刷，例如 名為“用于刻印平板印刷法的高精度定向排列和間隙控制臺(HIGH?PRECISION ORIENTATION?ALIGNMENT?AND?GAP?CONTROL?STAGE?FOR?IMPRINT LITHOGRAPHY?PROCESSES)”的美國專利第6,873,087號；名為“包括定位 標記的刻印平板印刷模板(IMPRINT?LITHOGRAPHY?TEMPLATE COMPRISING?ALIGNMENT?MARKS)”的美國專利第6,842,226號；名為“用 于室溫低壓微米和納米刻印平板印刷的模板(TEMPLATE?FOR?ROOM TEMPERATURE，LOW?PRESSURE?MICRO-ANDNANO-IMPRINT LITHOGRAPHY)”的美國專利第6,696,220號；以及名為“步進和快速刻印平 板印刷(STEP?AND?FLASH?IMPRINT?LITHOGRAPHY)”的美國專利第 6,719,915號，所有這些專利均轉讓給本發明的受讓人。上述公開的專利申請中 所述的基本刻印平板印刷技術包括在可聚合的層中規劃形成浮雕圖案，然后將 該浮雕圖案轉移到下面的基片上，在基片中形成浮雕圖案。為此，使用與基片 隔開的模板，在模板和基片之間具有可成形液體。所述液體固化形成固化層， 在此固化層中記錄下了與液體接觸的模板表面形狀相一致的圖案。然后對基片 和固化層進行處理，向基片中轉移入與固化層中的圖案相一致的浮雕圖案。

上述微加工技術的結果是，由于所形成特征結構的尺寸的不斷減小，提高 了對確保進行處理/形成圖案的基片的平整度/平面度的要求。有許多影響基片 平面度的因素，其中許多因素可通過常規基片卡盤進行校正。然而，背面顆粒， 即與形成圖案的表面的相背面接觸的顆粒的存在是一個問題。例如，顆粒可能 會積聚在基片和卡盤之間，即所謂背面顆粒，它們可能會造成基片的平面外畸 變，使基片上產生的圖案造成畸變。平面外畸變可通過兩個參量進行表征：1) 畸變高度；2)間隙半徑。畸變高度定義為背面顆粒在基片中造成的最大平面外偏 差。間隙半徑定義為基片與卡盤相隔開的區域的長度的測量值，所述測量值是 在顆粒以及基片上最接近該顆粒的、基片與卡盤接觸的一點之間測量。應該意 識到，由于存在顆粒污染物而發生畸變的基片的面積遠大于顆粒的尺寸。

嘗試克服顆粒污染物的現有技術包括銷形卡盤和凹槽型卡盤。這些卡盤系 統嘗試通過使基片和卡盤之間的接觸面積最小化，以避免背面顆粒帶來的缺 陷。然而，這些卡盤系統僅僅是減小了顆粒在卡盤和基片之間積聚的可能性， 但是如果顆粒在卡盤和基片之間積聚的時候，這些卡盤系統無法避免或減小非 平面性。

因此，人們需要提供改進的基片支承系統。

發明內容

本發明包括一種基片支承系統，該系統特征為一卡盤體(chuck?body)， 該卡盤體具有從中延伸出銷的體表面，這些銷具有位于一平面內的接觸面，所 述銷與卡盤體可移動地連接，從而相對于所述平面移動。因此，該基片支承系 統即使不能避免也可減小由于存在顆粒污染物在基片中造成的非平面性。這是 通過制造具有順應性的銷，使得銷能夠發生移動，容納顆粒的存在，從而在基 片中充分保持平面性而完成的。下文中將更詳細地討論這些實施方式和其它的 實施方式。

附圖簡述

圖1是本發明平板印刷系統的透視圖；