[發(fā)明專利]磁控濺射制備減摩IF－WS₂/IF－MoS₂復(fù)合薄膜的方法無(wú)效

申請(qǐng)?zhí)枺?/td>	200510030259.1	申請(qǐng)日：	2005-09-30
公開（公告）號(hào)：	CN1757788A	公開（公告）日：	2006-04-12
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	何丹農(nóng);尹桂林;涂江平;夏正志;余震	申請(qǐng)（專利權(quán)）人：	上海交通大學(xué)
主分類號(hào)：	C23C14/35	分類號(hào)：	C23C14/35;C23C14/54;C23C14/06
代理公司：	上海交達(dá)專利事務(wù)所	代理人：	王錫麟;王桂忠
地址：	200240***	國(guó)省代碼：	上海;31
權(quán)利要求書：	查看更多	說(shuō)明書：	查看更多
摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	磁控濺射制備 if ws sub mos 復(fù)合薄膜方法
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