[發(fā)明專利]晶片承載器門無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200480039772.0 | 申請日: | 2004-11-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101111439A | 公開(公告)日: | 2008-01-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 約翰·布恩斯;馬修·A·福勒;杰佛瑞·J·肯;馬丁·L·佛比斯;馬克·V·斯密斯 | 申請(專利權(quán))人: | 安堤格里斯公司 |
| 主分類號(hào): | B65D85/90 | 分類號(hào): | B65D85/90;A47G19/08;B08B3/02;B08B9/093 |
| 代理公司: | 北京連和連知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 高翔 |
| 地址: | 美國明*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 承載 | ||
相關(guān)申請
根據(jù)35U.S.C.§119(e)的規(guī)定,本申請要求2003年11月7日提交的第60/518,238號(hào)美國臨時(shí)申請和2003年11月7日提交的第60/518,188號(hào)美國臨時(shí)申請的優(yōu)先權(quán),這些申請的全部內(nèi)容均被引用于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明總的涉及處理半導(dǎo)體晶片的裝置。更具體地說,本發(fā)明涉及晶片承載器門。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體晶片加工時(shí),要經(jīng)過多道步驟。這一過程通常需要專用設(shè)備將這些晶片從一個(gè)工作臺(tái)傳送到另一個(gè)工作臺(tái)進(jìn)行加工。
加工過程中,晶片可能臨時(shí)存放在容器內(nèi),或裝在容器內(nèi)運(yùn)輸?shù)狡渌S或終端用戶。在這些階段中,晶片可能會(huì)受到污染而被損壞。
為降低污染物對晶片的有害影響,開發(fā)出了專用容器,使產(chǎn)生的污染物達(dá)到最小量,并將晶片與容器外污染物隔離開。這些設(shè)備所共有的主要特征是它們都安有可拆卸門或蓋。
上述晶片處理容器存在幾個(gè)問題。容器工作期間,操作人員會(huì)采用機(jī)械或手工方法多次安裝和拆卸容器門或蓋。每次安裝或拆卸時(shí),一部分門邊可能會(huì)刮擦容器的門框。這一重復(fù)過程可能會(huì)產(chǎn)生一些漂浮在空氣中、并落在容器內(nèi)存放的晶片上的微粒。
門或容器的制造方法也可能有微粒產(chǎn)生的問題。這些容器和門一般用聚碳酸酯等塑料注塑成型。這種模塑方式存在模塑部分易收縮和變形的固有缺陷。
盡管塑料注塑技術(shù)已發(fā)展的很成熟,但相同鑄模模塑出的不同組件仍可能出現(xiàn)個(gè)別偏差。雖然細(xì)微偏差一般不會(huì)影響容器門的關(guān)閉功能,但這些偏差可能會(huì)改變工作尺寸,導(dǎo)致門和門框的接觸(并造成顆粒產(chǎn)生)增加。鑄模本身的正常磨損和破裂也可能導(dǎo)致尺寸變化。當(dāng)門和容器組件的偏差疊加或增加時(shí),這一問題就更加突出。
隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展,晶片和晶片承載器的大小已顯著增加。目前半導(dǎo)體制造設(shè)備可加工300mm的晶片。用于300mm晶片的大型承載器使模塑的承載器的變形、收縮和偏差問題更加凸顯。
為了使晶片承載器組件上的污染物減到最少,在重復(fù)利用前需要徹底的清洗該晶片承載器。最理想的清洗效果是不僅清除了晶片承載器內(nèi)外表面上的污染物,而且也一并清除了內(nèi)部的任何凹槽上的污染物。
為減少晶片承載器殼體與晶片承載器門相互摩擦產(chǎn)生的污染物,一種安裝在晶片承載器門拐角位置的門導(dǎo)桿應(yīng)運(yùn)而生。美國第6,206,196和6,464,081號(hào)專利描述了這種門導(dǎo)桿的實(shí)例,這兩項(xiàng)專利都已轉(zhuǎn)讓給本申請的受讓人,其內(nèi)容全部引用于此。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對一種晶片承載器殼體所使用的晶片承載器門。該晶片承載器門包括內(nèi)門部分和外門部分。本發(fā)明的第一實(shí)施例中,外門部分上包括多個(gè)孔,便于清洗內(nèi)門部分和外門部分之間的空腔。
本發(fā)明的第二實(shí)施例中,外門部分包括多個(gè)向外伸出的門導(dǎo)桿。內(nèi)門部分安裝到外門部分后,門導(dǎo)桿從門導(dǎo)桿孔伸出,這樣當(dāng)晶片承載器門安裝到晶片承載器殼體上之后,門導(dǎo)桿就和晶片承載器殼體相接觸。
附圖說明
圖1是使用本發(fā)明的門的晶片承載器。
圖2是晶片承載器門的內(nèi)部視圖。
圖3是晶片承載器門的外部視圖。
圖4是承載器門的內(nèi)外門部分的拐角的放大分解圖。
圖5是承載器門的內(nèi)外門部分的拐角的放大組裝圖。
具體實(shí)施方式
圖1中,10所清楚標(biāo)示的是本發(fā)明的晶片承載器門的一個(gè)實(shí)施例。該晶片承載器門10實(shí)質(zhì)上密封在晶片承載器殼體12上,將半導(dǎo)體晶片(圖中未示出)置于晶片承載器14內(nèi)。
本發(fā)明的晶片承載器門10提高了使用間隙中清洗晶片承載器門10的效能。晶片承載器門10還減少了晶片承載器14開合時(shí)產(chǎn)生的污染物。晶片承載器門10還提供了門導(dǎo)桿80,來減少晶片承載器門10與晶片承載器殼體12之間因摩擦接合產(chǎn)生的污染物。
如圖2和3所示,晶片承載器門10包括內(nèi)門部分20和外門部分22。內(nèi)門部分20和外門部分22對接在一起,在其中形成空腔24。
通過內(nèi)門部分20可以看到,至少一個(gè)鎖扣裝置30安裝在空腔24內(nèi)。該至少一個(gè)鎖扣裝置30是便于將晶片承載器門10安裝到晶片承載器殼體12上。在空腔24內(nèi)安裝至少一個(gè)鎖扣裝置30是防止使用晶片承載器14時(shí)該至少一個(gè)鎖扣裝置30被損壞。
內(nèi)門部分20最好實(shí)質(zhì)上是連續(xù)的,以防止污染物通過內(nèi)部部分20進(jìn)到晶片承載器殼體12內(nèi)。為進(jìn)一步提高晶片承載器門10與晶片承載器殼體12之間的密封性,可以在內(nèi)門部分20的外緣34上加裝彈性墊圈32。
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