[實用新型]水平式離子注入碳化硅高溫退火裝置無效
| 申請號： | 200420092867.6 | 申請日： | 2004-09-22 |
| 公開（公告）號： | CN2730890Y | 公開（公告）日： | 2005-10-05 |
| 發明（設計）人： | 孫國勝;王雷;趙萬順 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | C30B33/02 | 分類號： | C30B33/02;C30B31/22 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 100083北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 水平 離子 注入 碳化硅 高溫 退火 裝置 | ||
【說明書】：
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