[實(shí)用新型]水平式離子注入碳化硅高溫退火裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200420092867.6 | 申請(qǐng)日： | 2004-09-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN2730890Y | 公開（公告）日： | 2005-10-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫國(guó)勝;王雷;趙萬(wàn)順 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號(hào)： | C30B33/02 | 分類號(hào)： | C30B33/02;C30B31/22 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 周國(guó)城 |
| 地址： | 100083北*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 水平 離子 注入 碳化硅 高溫 退火 裝置 | ||
【權(quán)利要求書】：
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