[發(fā)明專利]單根一維納米材料的測(cè)試電極及其制作方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200410091457.4 | 申請(qǐng)日： | 2004-11-24 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1603807A | 公開(kāi)（公告）日： | 2005-04-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊海方;劉立偉;金愛(ài)子;顧長(zhǎng)志;呂力 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院物理研究所 |
| 主分類號(hào)： | G01N27/00 | 分類號(hào)： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 北京中創(chuàng)陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 尹振啟 |
| 地址： | 100080北*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單根一維 納米 材料 測(cè)試 電極 及其 制作方法 | ||
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- 單根一維納米材料的測(cè)試電極及其制作方法
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