[發(fā)明專利]具有CrTi/NiP雙層結(jié)構(gòu)的磁薄膜介質(zhì)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200410074912.X | 申請日： | 2004-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN1619650A | 公開（公告）日： | 2005-05-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 卞曉平;瑪麗·F·多爾納;莫哈馬德·S·米爾扎馬尼;亞當(dāng)·波爾辛;肖啟凡 | 申請（專利權(quán)）人： | 日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司 |
| 主分類號： | G11B5/66 | 分類號： | G11B5/66;G11B5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人： | 陶鳳波;侯宇 |
| 地址： | 荷蘭阿*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 crti nip 雙層 結(jié)構(gòu) 薄膜 介質(zhì) | ||
【權(quán)利要求書】：
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司，未經(jīng)日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200410074912.X/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 具有CrTi/NiP雙層結(jié)構(gòu)的磁薄膜介質(zhì)
- 一種制備碳鋼表面NiP/TiO<sub>2</sub>耐蝕復(fù)合膜的方法
- 用于生產(chǎn)硬盤基材的方法和硬盤基材
- 用于制造硬盤基片的方法
- 接地網(wǎng)NiP-DLC復(fù)合抗腐蝕防護涂層及制備方法
- 使用基于非IP的EPS承載的設(shè)備、系統(tǒng)及方法
- 原位循環(huán)提高NiP非晶合金催化性能的方法
- 一種燒結(jié)NdFeB磁體表面NiP合金鍍層的制備方法
- 一種相結(jié)型NiP<base:Sub>2
- 通過調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)錄因子活性調(diào)節(jié)T細胞亞群
