[發明專利]具有CrTi/NiP雙層結構的磁薄膜介質無效
| 申請號： | 200410074912.X | 申請日： | 2004-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN1619650A | 公開（公告）日： | 2005-05-25 |
| 發明（設計）人： | 卞曉平;瑪麗·F·多爾納;莫哈馬德·S·米爾扎馬尼;亞當·波爾辛;肖啟凡 | 申請（專利權）人： | 日立環球儲存科技荷蘭有限公司 |
| 主分類號： | G11B5/66 | 分類號： | G11B5/66;G11B5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 陶鳳波;侯宇 |
| 地址： | 荷蘭阿*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 crti nip 雙層 結構 薄膜 介質 | ||
【說明書】：
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