[發(fā)明專利]具有外延的C49-硅化鈦（TiSi2）層的半導(dǎo)體裝置及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200410004627.0
• 申請(qǐng)日: 2004-02-20
• 公開（公告）號(hào): CN100501954C
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李文根;李泰權(quán);梁俊模;樸兌洙;李潤(rùn)稙
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/52
• 分類號(hào): H01L21/52;H01L21/3205;H01L21/314;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 王學(xué)強(qiáng)

1.一種用來制造半導(dǎo)體裝置的方法，其步驟包括：

提供已完成預(yù)定加工的硅襯底；

在所述硅襯底上形成絕緣層；

通過打開部分所述絕緣層直至暴露出所述硅襯底的表面而形成接觸孔；

通過使用經(jīng)緩沖的氧化蝕刻劑或氫氟酸的濕式清潔方法和使用三氟化氮的干式清潔方法的其中之一來清潔所述硅襯底；

在包含氮的氣體環(huán)境中，對(duì)所述硅襯底的表面進(jìn)行等離子體處理；

通過使用物理氣相沉積技術(shù)在所述硅襯底上沉積鈦層；及

通過利用熱處理使所述硅襯底與已沉積的鈦層反應(yīng)，以形成具有C49相的外延生長(zhǎng)的硅化鈦層，

其中所述等離子體處理在400℃至450℃的溫度范圍、3托爾至5托爾的壓力范圍下并且采用400瓦至500瓦的功率進(jìn)行30秒至60秒。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述等離子體處理使用氮等離子體處理或氨等離子體處理來進(jìn)行。

3.如權(quán)利要求1所述的的方法，其中所述物理氣相沉積技術(shù)為離子金屬等離子體技術(shù)。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述熱處理在氮環(huán)境中進(jìn)行，從而在所述鈦層表面上形成氮化鈦層。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述熱處理為快速熱加工和爐退火中的一種。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述熱處理為快速熱加工和爐退火中的一種。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述熱處理包括下列步驟：

在670℃至850℃的溫度范圍下進(jìn)行第一快速熱加工20秒至30秒；及

在850℃至900℃的溫度范圍下進(jìn)行第二快速熱加工20秒至30秒。

8.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述熱處理步驟包括：

在670℃至850℃的溫度范圍下進(jìn)行第一快速熱加工20秒至30秒；及

在850℃至900℃的溫度范圍下進(jìn)行第二快速熱加工20秒至30秒。

9.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其步驟包括：

提供已完成預(yù)定加工的硅襯底；

通過使用經(jīng)緩沖的氧化蝕刻劑或氫氟酸的濕式清潔方法和使用三氟化氮的干式清潔方法的其中之一來清潔所述硅襯底；及

流入Ti來源氣體及還原氣體，通過使用化學(xué)氣相沉積技術(shù)，利用與硅襯底的表面反應(yīng)和氣相反應(yīng)來外延生長(zhǎng)具有C49相的硅化鈦層，

其中所述化學(xué)氣相沉積技術(shù)在約650℃的溫度和約5托爾的壓力下進(jìn)行。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述化學(xué)氣相沉積技術(shù)使用四氯化鈦及氫作為沉積氣體。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述化學(xué)氣相沉積技術(shù)使用四氯化鈦、氫及硅烷作為沉積氣體。

12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述化學(xué)氣相沉積技術(shù)使用四氯化鈦及硅烷作為沉積氣體。

13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所使用的化學(xué)氣相沉積技術(shù)是采用200瓦至800瓦的功率進(jìn)行的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)。

14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所使用的化學(xué)氣相沉積技術(shù)是采用200瓦至800瓦的功率進(jìn)行的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)。

15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所使用的化學(xué)氣相沉積技術(shù)是采用200瓦至800瓦的功率進(jìn)行的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)。

16.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其步驟包括：

將已經(jīng)完成預(yù)定處理的硅襯底加載到用于原子層沉積技術(shù)的艙中；

通過使用經(jīng)緩沖的氧化蝕刻劑或氫氟酸的濕式清潔方法和使用三氟化氮的干式清潔方法的其中之一來清潔所述硅襯底；

使鈦來源氣體流入所述艙；

從所述艙中清除未反應(yīng)的鈦來源氣體；

使還原氣體流入所述艙；

從所述艙中清除反應(yīng)氣體；以及

重復(fù)所述鈦來源氣體流入的步驟到所述清除反應(yīng)氣體的步驟數(shù)次，以使用原子層沉積技術(shù)形成具有C49相的外延生長(zhǎng)硅化鈦層，所述原子層沉積技術(shù)在400℃至700℃的溫度和0.1托爾至10托爾的壓力下進(jìn)行。

17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述鈦來源氣體包括四氯化鈦，所述還原氣體包括氫或硅烷。

18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述原子層沉積技術(shù)使用等離子體。