[其他]模擬存儲(chǔ)電壓控制的可變電阻

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 101986000008776
• 申請(qǐng)日: 1986-12-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1003264B
• 公開(kāi)（公告）日: 1989-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王博
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 王博
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

一種壓控可變電阻，采用了模擬存儲(chǔ)技術(shù)，其阻值可以隨意調(diào)定并保持較長(zhǎng)時(shí)間，可對(duì)多個(gè)信號(hào)通道實(shí)行同步的無(wú)級(jí)調(diào)控。具有無(wú)接觸噪音，無(wú)機(jī)械磨損，無(wú)調(diào)控死點(diǎn)，線路簡(jiǎn)單，操作方便，密封性好，成本低，體積小等優(yōu)點(diǎn)，適用于電視機(jī)、收錄機(jī)、擴(kuò)音機(jī)、電子琴、玩具等音響設(shè)備上的音量、音調(diào)的控制，及其它電子設(shè)備上的信號(hào)控制。

本發(fā)明是一種用于信號(hào)控制的壓控可變電阻。

在本發(fā)明以前，各種電子音響設(shè)備上的音量和音調(diào)控制，大都采用碳膜電阻片式的電位器，此種電位器結(jié)構(gòu)上都采用了觸頭在電阻片上滑動(dòng)的方式來(lái)改變分壓比。由于存在機(jī)械摩擦，不可避免地會(huì)在調(diào)控過(guò)程中產(chǎn)生接觸噪音，而且時(shí)間稍長(zhǎng)，電極觸頭對(duì)碳膜的磨損會(huì)達(dá)到嚴(yán)重接觸不良的程度。在音響設(shè)備中，它是最易出故障的元件之一。另外，在觸頭滑至一端時(shí)，經(jīng)常有控制死點(diǎn)，出現(xiàn)最小音量不為零或陡然為零的現(xiàn)象。對(duì)于用在立體聲音量控制中的雙連電位器，則易在小音量時(shí)出現(xiàn)不平衡現(xiàn)象。目前在較高檔次的電子設(shè)備及彩色電視機(jī)、收錄機(jī)上有一類(lèi)由數(shù)字電路構(gòu)成的音量控制裝置，雖然避免了接觸噪音，但線路復(fù)雜，成本較高，且往往只能跳躍式地控制，分級(jí)的感覺(jué)較強(qiáng)。

本發(fā)明的目的在于避免上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處而提供一種不存在機(jī)械摩擦，不產(chǎn)生噪音，可無(wú)級(jí)調(diào)變阻值，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低的音量控制可變電阻。

本發(fā)明采用了模擬存儲(chǔ)技術(shù)，其特征在于由一個(gè)包括電源E、電容C及充放電支路的電路并接在金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的柵極（G）和源極（S）之間，以使MOSFET的漏（D）-源電阻r_DS在一段時(shí)間內(nèi)在某一值上保持相對(duì)恒定，從而對(duì)音頻信號(hào)的旁路或衰減程度能夠隨意選定并保持。

本發(fā)明的解決方案，可以由附圖加以說(shuō)明。

圖1是本發(fā)明模擬存儲(chǔ)電壓控制可變電阻的基本電原理圖。由一個(gè)包括電源E、電容C及充放電支路的電路（此處稱(chēng)之為電路10）并接在MOSFET的柵極G和源極S之間。

圖2是電路10的E-C串聯(lián)式接法，與MOSFET連接構(gòu)成的本發(fā)明電路圖。電阻R₁與開(kāi)關(guān)K₁串接構(gòu)成放電支路，電阻R₂與開(kāi)關(guān)K₂串接構(gòu)成充電支路。放電支路和電容器C并聯(lián)后與電池E串聯(lián)，再和充電支路并聯(lián)構(gòu)成電路10。

圖3是電路10的E-C并聯(lián)式接法，與MOSFET連接構(gòu)成的本發(fā)明電路圖。電阻R₁與開(kāi)關(guān)K₁及電池E串接構(gòu)成充電支路，電阻R₂與開(kāi)關(guān)K₂串接構(gòu)成放電支路，充電支路和放電支路和電容器C三者并聯(lián)構(gòu)成電路10。

圖4和圖5分別為圖2和圖3電路采用感壓按鍵后的電路圖，AN₁和AN₂是感壓按鍵。

圖6為由一個(gè)電路10同時(shí)控制4個(gè)MOSFET的V_DS的本發(fā)明電路圖。

圖7為在本發(fā)明中用以取代電池E的穩(wěn)壓二極管電路圖。

圖8為在本發(fā)明中用以取代電池E的發(fā)光二極管電路圖。

圖9為采用本發(fā)明的立體聲擴(kuò)音機(jī)電原理圖。

圖1中電路10實(shí)際上提供給MOSFET一個(gè)控制電壓V_DS，它的選定由電容C兩端儲(chǔ)存的電壓決定。由于MOSFET的輸入阻抗極高，所以選定的V_DS可以長(zhǎng)期保持。r_DS隨V_DS變化。V_DS的選擇，可使r_DS從10^-1歐姆數(shù)量級(jí)變至10′歐姆以上。