[其他]模擬存儲電壓控制的可變電阻在審
| 申請號： | 101986000008776 | 申請日： | 1986-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN1003264B | 公開（公告）日： | 1989-02-08 |
| 發明（設計）人： | 王博 | 申請（專利權）人： | 王博 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 北京市7*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 模擬 存儲 電壓 控制 可變 電阻 | ||
【權利要求書】：
1、一種由MOSFET構成的壓控可變電阻，其特征在于由一個包括電源E、電容C及充放電支路的電路并接在MOSFET的柵極G和源極S之間。
2、如權利要求1所述電路，其特征在于電阻R1與開關K1串接構成放電支路，電阻R2與開關K2串接構成充電支路，放電支路和電容器C并聯后與電池E串聯，再和充電支路并聯。或者電阻R1與開關K1及電池E串接構成充電支路，電阻R2與開關K2串接構成放電支路，充電支路和放電支路和電容器C三者并聯。
3、如權利要求2所述電路中的充、放電支路，其中的R1、K1及R2、K2分別由兩組感壓導電橡膠與接觸電極取代。
4、如權利要求2或3所述電路同時提供給一個或一個以上MOSFET的柵極電壓。
5、如權利要求4所述電路中的電池E由電阻R，穩壓二極管D和電容器C取代。
6、如權利要求5所述穩壓二極管由一支或一支以上發光二極管取代。
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