[其他]真空斷路器用接點合金的生產方法在審
| 申請號: | 101986000008695 | 申請日: | 1986-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN1003823B | 公開(公告)日: | 1989-04-05 |
| 發明(設計)人: | 奧富功;千葉誠司;大川幹夫;關口薰旦;石松正規 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | 分類號: | ||
| 代理公司: | 上海專利事務所 | 代理人: | 全永留 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空 斷路 器用 接點 合金 生產 方法 | ||
本發明涉及氣孔少的Cu和(或)Ag-Cr合金的生產方法,更具體地說涉及可減少再起弧發生頻率的真空管用接點合金的生產方法,所說的方法包括原料Cr的選擇、燒結條件、熔滲條件以及冷卻條件的控制。用本發明生產的真空管用的合金不但減少了再起弧發生率,而且縮小了每個真空管之間的發生率的波動。
本發明涉及氣孔少的Cu和(或)Ag-Cr合金的生產方法,更具體地說涉及可減少再起弧發生頻率的真空斷路器用的接點合金的生產方法。
真空斷路器用接點所要求的性能有耐熔敷性、耐壓性及高斷開性。
然而,由于這三個必要條件所要求的物理性質是相反的,因此要使其理想地兼容是困難的。目前把適用電路的優先必要條件列在首位,而相應犧牲若干其他的必要條件。
例如,在以往的耐高壓、大容量真空斷路器方面,業已公開的是具有含有小于5%(重量)防熔敷成分(Bi、Te、Pb等)的Cu合金作為電極接點的斷路器。(特公昭41-12131號)。
可是,相對于近年來高壓化的要求,耐壓方面還不夠完美。
也就是說,由于真空斷路器具有小型、輕便、維修方便等比別的斷路器好的性能,其適用范圍逐年擴大,自過去一般所使用的36kv以下的回路逐漸適用到更高電壓回路的同時,由于開關諸如電容器回路的需要也急劇增加,所以更高的耐壓成為必要了。
再起弧現象、再引弧現象是阻礙達到這一目的的重要因素之一。
從提高產品的可靠性來看,盡管要重視再起弧現象,但因產生的直接原因尚不明白,故而防止方法就無從淡起。
隨著上述高耐壓化的發展,要求接點材料具有更高的耐壓性且具有低的再起弧現象的發生頻率。
要謀求接點材料的高的耐壓化、無再起弧化,就希望盡量減少構成耐壓缺陷的脆弱的防熔敷的成分本身的量,或避免其過分集中,盡量減少氣體雜質和氣孔等以及提高接點合金本身的強度。
如果從這些觀點來看,上述的Cu-Bi合金就不能滿足。
另外,過去所使用的其他接點材料Cu-W接點和Cu-WC接點雖然耐壓相當好,但這種燒結系列接點合金具有生產方法上易殘存氣孔,而且還因大量放出熱電子而容易發生再起弧現象等缺點。
此外,在要求高耐壓且大電流的斷路器的領域中,適用Cu-Cr合金。Cu-Cr合金與其他的接點材料比起來,由于構成元素之間的蒸氣壓差小,故具有可望發揮均勻性能的優點,是一種如果使用得當,就可充分利用其特征的接點合金。
這種Cu-Cr系接點合金的生產簡敘如下。例如,如按特公昭59-30761號,該方法是這樣的:將Cr粉與少量Cu粉混合,把這種混合物充填在壓模中,施加小壓力壓制成型,從壓模中取出這種成形體之后,將其真空燒結,形成Cr骨架,最后熔滲Cu。
最近還公開了一種方法,即將Cr粉注入模子中,其上放置Cu粉,整體經脫氣以后,在減壓下進行溶滲處理(參照特開昭59-25903號)。
另外,還有通過首先混合最終成分含量的Cu與Cr,再使由此所得的成形體在Cu的熔點或者熔點以下進行固相燒結來獲得Cu-Cr合金的方法。
但是,如上所述,這些合金一般均由粉末冶金方式生產,由于與再起弧發生有關的原料粉的控制、燒結技術以及熔滲技術未完全確立,所以這些合金在再起弧發生頻率方面尚未能達到充分滿足。
本發明的目的在于提供一種已把明顯地減少再起弧發生頻率考慮在內的真空斷路器用的接點合金的生產方法。
為了減少真空斷路器用的接點合金的再起弧發生頻率以及穩定其導電率性能,本發明的一些發明人以對本生產方法的原料Cr的選擇、燒結條件、熔滲條件以及冷卻條件等進行研究討論結果,實現了本發明。
也就是說,涉及第一種方式的本發明的真空斷路器用接點合金的生產方法的特征在于包括以下(a)~(d)步驟。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社東芝,未經株式會社東芝許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/101986000008695/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:印染乳膠型低溫粘合劑及制備方法
- 下一篇:致密多晶羥基磷灰石微粒的制作方法
- 同類專利
- 專利分類





