[其他]真空斷路器用接點合金的生產(chǎn)方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 101986000008695
• 申請日: 1986-12-23
• 公開（公告）號: CN1003823B
• 公開（公告）日: 1989-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 奧富功;千葉誠司;大川幹夫;關(guān)口薰旦;石松正規(guī)
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 代理公司: 上海專利事務(wù)所
• 代理人: 全永留

1、真空斷路器用接點合金的生產(chǎn)方法，其特征在于所說的方法包括以下（a）～（d）步驟：

（a）用平均粒度為5～250微米、以雜質(zhì)存在的Al、Si、V以及Ca的含量各為100ppm以下的Cr粉，以8噸/平方厘米以下的外部壓力或者所說Cr粉的自重的壓力形成成形體的步驟，

（b）為得到Cr骨架與燒結(jié)用容器一起在非氧化性氣氛中燒結(jié)被放置在燒結(jié)用容器中的上述的成形體，冷卻到常溫的步驟，

（c）把Cu和（或）Ag放置在上述的Cr骨架的表面的至少一部分中，將Cu和（或）Ag熔滲到Cr骨架中的孔隙里的步驟，

（d）按調(diào)整合金的導(dǎo)電率來冷卻經(jīng)熔滲的合金坯料的步驟。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于上述的步驟（d）中的冷卻是在800℃～400℃的溫度區(qū)間內(nèi)的至少100℃的溫差，以0.6～6℃/分的冷卻速度進行的。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于在上述的步驟（d）的冷卻中，用噴射惰性氣體進行急冷。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于在上述的步驟（d）的冷卻中，在800℃～400℃的溫度區(qū)間中的任一溫度下，至少0.25小時進行至少一次加熱保溫。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于在上述的步驟（a）中所用的Cr粉含有在其Cr粉中作為雜質(zhì)的Al在10ppm以下，Si在20ppm以下，V在10ppm以下，Ca在10ppm以下，氧在1000ppm以下，氮在1000ppm以下。

6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于在上述的步驟（a）的成形體由Cr粉與Cu和（或）Ag粉的混合物構(gòu)成。

7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于在上述步驟（b）的燒結(jié)中，在上述的成形體與燒結(jié)用容器之間插入為減少所說的兩者的反應(yīng)和（或）潤濕的防止反應(yīng)的材料。

8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于在上述步驟（c）的熔滲中，在上述的Cr骨架與熔滲用容器之間插入為減少所說的兩者的反應(yīng)和（或）潤濕的防止反應(yīng)的材料。

9、根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于上述的防止反應(yīng)的材料由選自至少在400℃經(jīng)加熱的AlO、SiO中的粒狀或者纖維狀的耐熱性無機材料的至少一種構(gòu)成。

10、真空斷路器用接點合金的生產(chǎn)方法，其特征在于所說的方法包括以下（a）～（f）步驟：

（a）使原料Cr在非氧化性氣氛中1300℃～近熔點的溫度范圍內(nèi)至少加熱處理一次的步驟，

（b）粉碎經(jīng)加熱處理的原料Cr，獲得平均粒度為5～250微米、氧或者氮的含量各為200ppm以下的Cr粉的步驟，

（c）在8噸/平方厘米以下的外部壓力或者該Cr粉的自重的壓力下使上述所得的Cr粉成形的步驟，

（d）為得到Cr骨架與燒結(jié)用容器一起在非氧化性氣氛中使被放置在燒結(jié)容器中的上述Cr粉成形體燒結(jié)，冷卻到常溫的步驟，

（e）把Cu和（或）Ag放置在上述的Cr骨架的表面的至少一部分中，將Cu和（或）Ag熔滲到Cr骨架中孔隙里的步驟，

（f）按調(diào)整合金的導(dǎo)電率那樣來冷卻經(jīng)熔滲的合金坯料的步驟。

11、根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于上述步驟（d）的燒結(jié)在至少800℃的溫度下進行。