[其他]“晶體管-晶體管邏輯到互補型金屬-氧化物-半導體”的輸入緩沖器

在審

• 申請號: 101986000003513
• 申請日: 1986-05-24
• 公開（公告）號: CN1005674B
• 公開（公告）日: 1989-11-01
• 發明（設計）人: 霍瓦德·克雷頓·基施
• 申請（專利權）人: 美國電話電報公司
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 陸麗英

1、一種“TTL到CMCS”的輸入緩沖器，用來接收一種具有相聯的TTL電壓電平的第一（“0”）和第二（“1”）邏輯狀態之一的輸入信號，提供相聯的CMOS電壓電平的相應輸出邏輯信號，它包括：

CMOS第一變換器（30），它對上述TTL輸入邏輯信號起作用，產生相反邏輯狀態的第一CMOS邏輯信號作為輸出信號;

CMOS第二變換器（38），它對上述CMOS第一變換器產生的第一CMOS邏輯信號起作用，提供一個與上述TTL輸入邏輯信號的邏輯狀態相同的第二CMOS邏輯信號作為輸出信號;

其特征在于：

突變檢測器（44），它對上述TTL輸入邏輯信號和第二CMOS邏輯信號兩者起作用，產生一個突變輸出控制信號作為輸出信號;和

電壓提升裝置（50），它對上述第二CMOS邏輯信號和上述突變輸出控制信號起作用，當上述TTL輸入邏輯信號從第一邏輯狀態變成第二邏輯狀態時，在上述第一CMOS變換器的輸入端提供一個增壓信號。

2、如權利要求1中所明確的“TTL到CMOS”輸入緩沖器，其中突變檢測器包括：

第一導通型的第一晶體管（46），它有連接到第一電源的第一電流極，其第二電流極用來提供突變輸出控制信號，其柵極用來接收第二CMOS邏輯信號作為輸入信號;和

第二導通型的第二晶體管（48），它有連接到第二電源的第一電流極，其第二電流極接到上述第一晶體管的第二電流極，其柵極用來接收TTL輸入邏輯信號作為輸入信號。

3、如權利要求1或2所明確的一種“TTL到CMOS”輸入緩沖器，其中電壓提升裝置包括：

延遲裝置（56），它對突變輸出控制信號起作用，產生一個延遲了的突變控制信號作為輸出信號;

第一導通型的第一晶體管（52），它有連接到第一電源的第一電流極，其第二電流極和柵極對延遲了的突變控制信號起作用;和

具有第一導通型的第二晶體管（54），它有連接到上述第一晶體管第二電流極的第一電流極，和連接到CMOS第一變換器輸入端的第二電流極和對由CMOS第二變換器產生的作為輸出信號的第二CMOS邏輯信號起作用的柵極。