[其他]有位敏探測器的信息讀/寫系統

在審

• 申請號: 101986000002770
• 申請日: 1986-04-21
• 公開（公告）號: CN1006099B
• 公開（公告）日: 1989-12-13
• 發明（設計）人: 霍伯雷克斯·阿瑟·瑪麗·尤金;諾拉·戴特·簡·威廉
• 申請（專利權）人: 菲利浦光燈制造公司
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 程天正

1、一種用于在記錄載體的輻射反射表面上讀取和/或寫入信息的系統，包括用以探測在一光學系統中一輻射反射元件和一物鏡系統的聚焦面之間的偏離量的聚焦誤差探測系統，該聚焦誤差探測系統包括一用以確定輻射束的位置的半導體器件，該輻射束入射到一配備以至少兩個輻射靈敏二極管的輻射靈敏半導體本體的主表面上，該兩個輻射靈敏二極管與該半導體本體的相鄰部份形成整流結，并配備以電接線以引出由入射輻射線所產生的電流，其特征在于：在工作條件下，至少在二極管間有一高歐姆電阻區電流通道，這器件還配備以一個調整線路，該線路使和二極管相關的整流結可用這樣相對差值進行偏置，與輻射束入射于二極管間之主表面上的位置無關地使所產生的通過該兩個二極管的電流實際上相等。

2、按照權利要求1所述的系統，其特征在于：所述半導體器件的所述輻射靈敏二極管至少由兩個第一類電導型半導體區構成，它們與半導體本體中相鄰部分構成一個pn結。

3、根據權利要求1或2所述的系統，其特征在于：所述半導體器件的所述高歐姆電阻區是第一類電導型并與半導體本體中的相鄰部分構成一個pn結。

4、根據權利要求3所述的系統，其特征在于：其中所述半導體器件的所述高歐姆電阻區由位于介質層上并加以一適當的電位的門電極構成。

5、根據權利要求4所述的系統，其特征在于：其中所述半導體器件的所述輻射靈敏二極管間的相對距離是輻射束寬度的幾倍。

6、根據權利要求5所述的系統，其特征在于：所述半導體器件中的半導體本體還至少配有兩個與第一類電導型相反的第二類電導型半導體區，該第二類導電型半導體區有一些電接線用以消散由入射束產生的電流，在此第二類電導型半導體區之間也有一個高歐姆電阻區，而且該器件還配有一個調整線路，用該線路可使第二類電導型半導體區用這樣相對差值進行調整，與輻射束照射在主表面上的地點無關地使通過第二類電導型半導體區的電流實際上是相等的。

7、根據權利要求6所述的系統，其特征在于：所述半導體器件中配備的調整線路所提供的輸出信號和通過半導體區的電流值有關。

8、根據權利要求6所述的系統，其特征在于：其中所述半導體器件的入射輻射區域內，第一類電導型半導體區之間的連線和第二類電導型半導體區之間的連線實際上成直角。

9、根據權利要求6所述的系統，其特征在于：其中所述半導體器件的第二類電導型半導體區和高歐姆電阻區至少與半導體本體中相鄰部分構成一個pn結。

10、根據權利要求1所述的系統，其特征在于，在光電子聚焦誤差探測系統中在輻射反射元件反射回來的輻射光路中，由分束元件分成的兩個支束入射到兩個位于第一導電型的半導體區之間的第一導電型的高歐姆區，而調整線路的輸出聯到一個電子線路的輸入端，在該電子線路中由這兩個輸出端產生的信號給出聚焦誤差。

11、根據權利要求10所述的系統，其特征在于：至少有一個第一類電導型半導體區公用于相鄰的兩個第一類電導型高歐姆電阻區。