[其他]助熔劑法生長磷酸鈦氧鉀晶體的工藝在審
| 申請號： | 101986000000393 | 申請日： | 1986-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN86100393B | 公開（公告）日： | 1988-03-02 |
| 發明（設計）人： | 劉躍崗;徐斌;韓建儒;蔣民華 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 濟南三達專利事務所 | 代理人： | 孫君 |
| 地址： | 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 熔劑 生長 磷酸 鈦氧鉀 晶體 工藝 | ||
【權利要求書】：
1、一種助熔劑法生長磷酸鈦氧鉀晶體的工藝，用TiO2、KPO3、K4P2O7作原料，其中的KPO3、K4P2O7同時作助熔劑，以一種頂端有扣合蓋的特殊鉑坩堝作容器，坩堝蓋上開孔，籽晶縛于旋桿上從孔中穿過，放入生長爐加熱，一次完成磷酸鈦氧鉀的合成，籽晶由上沒入熔體中旋轉，降溫生長，投放原料比，TiO2∶KPO3∶K4P2O7在0.2∶1∶1～0.5∶3∶1之間。
2、根據權利要求1所述的生長工藝，其特征在于，TiO2∶KPO3∶K4P2O7最佳為0.35∶1.75∶1。
3、根據權利要求1或2所述的生長工藝，其特征在于，降溫生長的降溫速度為1～5℃/日。
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