[其他]基底附熱熔粘合劑集成電路硅芯片復(fù)合物的制做方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 101986000000204
• 申請日: 1986-01-17
• 公開（公告）號(hào): CN1004843B
• 公開（公告）日: 1989-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 加里·查爾斯·戴維斯
• 申請（專利權(quán)）人: 通用電氣公司
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 劉元金;羅宏

本文提供了一種制做在硅基底上附有熱熔粘合劑的集成電路硅組合件小片的方法。當(dāng)一種熱熔粘合劑被甩涂到硅基底上之后，片狀的集成電路組合件硅片被切割，同時(shí)，由將集成電路硅小片整體地粘在導(dǎo)體村底上的方法，可制出集成電路硅組合件陣列。

在本發(fā)明以前，集成電路硅小片復(fù)合物的制做，一般是通過將一個(gè)表面上有許多集成電路的硅片切成小塊來實(shí)現(xiàn)。片狀的小片，一般是采用金剛劃片器，激光劃片器或金剛鋸切割而成。然后，將集成的小片組合件粘在各種各樣的導(dǎo)電或非導(dǎo)電襯底上，以做成集成電路陣列。集成電路硅小片組合件在載體上的敷貼，一般是在集成的小片組合件的硅基底上，涂上一種粘合劑，然后將集成小片組合件，放在載體的合適位置上來實(shí)現(xiàn)。另一種技術(shù)則包括直接將粘合劑涂在載體襯底上，并且把集成電路小片粘合在其上。盡管把粘合劑涂到載體陣列襯底的工藝，已取得了有效的結(jié)果，但粘合劑中往往含有一種對載體襯底上的相鄰部件有損傷的有機(jī)溶劑。還有一種將粘合劑直接涂到集成電路硅組合件的基底上的工藝，它是有效的，只是不經(jīng)濟(jì)。

本發(fā)明的基礎(chǔ)，是將一種熱熔粘合劑的有機(jī)溶劑溶液，最好聚醚亞胺硅氧烷（將在后面詳細(xì)說明），在集成小晶片的背面被甩成薄膜形狀然后烘干;這樣片狀集成電路小片可以被切割。用一只金剛劃片器或一只金剛鋸，可大量制備在相應(yīng)硅基底上有一層熱熔粘合劑的集成電路硅組合件小片。

本發(fā)明提供了一種方法，它包括：

（1）把一種有機(jī)溶劑溶液的熱熔粘合劑，涂到其上部有著大量的集成電路的硅片基底上。

（2）將使用的熱熔粘合劑干燥。

（3）切割硅片以制備許多在相應(yīng)基底上有熱熔粘合劑層的集成電路硅小片組合件。

本發(fā)明的另一面：是提供一種將集成電路硅復(fù)合物粘合劑襯底表面上的方法，這包括：

（1）將襯底的表面與至少是一片的集成電路硅組合件小片接觸，這小片是已經(jīng)熱熔粘合劑處理過的。

（2）當(dāng)集成電路硅復(fù)合物小片與襯底表面接觸時(shí)，經(jīng)熱熔粘合劑加熱。

（3）使熱熔粘合劑冷卻，以達(dá)到將集成電路組合件小片粘在載體襯底上的目的。

圖1顯示了基底上涂了熱熔粘合劑的片狀集成電路小片的剖視圖。圖2顯示了由切割圖1所示片狀晶片所得的集成電路組合件小片。圖3則是一個(gè)帶適當(dāng)電接點(diǎn)的整體粘在載體表面上的集成電路組合件小片陣列。

特別是，圖1中的10是一絕緣柵極，11是一個(gè)信號(hào)電極，12是硅基片，而13是熱熔粘合劑層。

在圖3中，20是源信號(hào)電極，21是控制柵極。

本發(fā)明實(shí)際所采用的熱熔粘合劑，是聚醚亞胺硅氧烷，它已被Berger和Juliano描述（見美國專利4，011，279，這一專利與本發(fā)明選定同一委托人，在這里引入做為參考）。用于本發(fā)明實(shí)施的附加熱熔粘合劑，可以是任意熱塑性材料，其軟化溫度范圍約為100℃-300℃，150℃-200℃更好。熱熔粘合劑涂敷，可通過涂一種熱熔熱塑性材料的有機(jī)溶劑溶液來實(shí)現(xiàn)。一種典型的混合物，可以是N甲基吡喀烷酮或者二甘醇二甲醚一類有機(jī)溶劑中的聚醚亞胺聚硅氧烷。

在本發(fā)明的實(shí)施中，片狀集成電路晶片的基底經(jīng)過了熱熔粘合劑有機(jī)溶劑溶液的處理。熱熔粘合劑以每分鐘2000-7000轉(zhuǎn)的速度被甩在硅片的背面。然后，將經(jīng)過處理的片子是在大約為100-120℃下加熱30-60分鐘，而后再在大約180°-220℃溫度下烘烤0.5-1小時(shí)。這樣，在硅片表面，會(huì)產(chǎn)生厚度從0.5微米到25微米的一層熱熔粘合劑膜。

這樣硅片再經(jīng)過金剛劃片器，激光劃片器或金剛鋸的切割，就制成了大批集成電路硅組合件小片。

將前述的一個(gè)或多個(gè)集成電路硅組合件小片裝到載體，如非導(dǎo)電襯底像氧化鋁或氧化鈹或?qū)щ娨r底像鋁或銅上，就可以組合成一個(gè)集成電路的陣列。在從100-300℃的溫度范圍內(nèi)，對集成組合件基底上的熱熔粘合劑，予以局部加熱，當(dāng)冷卻后，復(fù)合物就被整體的粘接在載體的襯底上了。再加上合適的連接就可以產(chǎn)生一個(gè)如圖3所示的集成電路硅組合件的陣列。