[其他]基底附熱熔粘合劑集成電路硅芯片復合物的制做方法在審
| 申請號： | 101986000000204 | 申請日： | 1986-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN1004843B | 公開（公告）日： | 1989-07-19 |
| 發明（設計）人： | 加里·查爾斯·戴維斯 | 申請（專利權）人： | 通用電氣公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 劉元金;羅宏 |
| 地址： | 美國紐約州*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基底 附熱熔 粘合劑 集成電路 芯片 復合物 制做 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種在硅基底上附有聚醚亞胺硅氧烷的集成電路硅小片組合件的制作方法，此方法包括：
（1）在約2000-7000rpm下，將聚醚亞胺硅氧烷的有機溶劑溶液甩涂到其上表面有著大量的集成電路的硅片的基底上;
（2）起初在約100-120℃的溫度下，繼之在約180-220℃的溫度下，使涂好的聚醚亞胺硅氧烷干燥;
（3）切割硅片，以制備出大批在相應基底上有一層聚醚亞胺硅氧烷薄層的集成電路硅小片的組合件。
2、一種在硅基底上附有熱熔粘合劑的集成電路硅小片組合件的制作方法，此方法包括：
（1）在約2000-7000rpm下，將一種熱熔粘合劑的有機溶劑溶液甩涂到其上表面有著大量的集成電路的硅片的基底上;
（2）起初在約100-120℃的溫度下，繼之在約180-220℃的溫度下，使涂好的熱熔粘合劑干燥;
（3）切割硅片，以制備出大批在相應基底上有一層熱熔粘合劑薄層的集成電路硅小片組合件。
3、按照權利要求2的方法，其中將數片集成電路硅小片組合件粘結在氧化鋁襯底上，可制成集成電路硅組合件陣列。
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